[发明专利]系统级封装中的多层复合媒质基板在审

专利信息
申请号: 201410149838.7 申请日: 2014-04-15
公开(公告)号: CN103945638A 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 喻梦霞;徐军;袁野;李志力 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02;H05K1/14
代理公司: 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 代理人: 杨保刚
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 系统 封装 中的 多层 复合 媒质
【权利要求书】:

1.系统级封装中的多层复合媒质基板,其特征在于:包括至少2块介质基板,介质基板上设置有覆铜层,两两介质基板通过半固化片粘合,半固化片两端与介质基板的粘合面中,仅有一面设置有覆铜层。

2.根据权利要求1所述的系统级封装中的多层复合媒质基板,其特征在于:

介质基板:包括介质基板一、介质基板二、介质基板三和介质基板四;

覆铜层:包括覆铜层一、覆铜层二、覆铜层三、覆铜层四和覆铜层五;

半固化片:包括半固化片一、半固化片二和半固化片三;

金属通孔:包括散热金属通孔,信号传输金属通孔;

所述覆铜层一、介质基板一、半固化片一、覆铜层二、介质基板二、半固化片二、覆铜层三、介质基板三、覆铜层四、半固化片三、介质基板四和覆铜层五从上至下依次设置;

所述散热金属通孔贯穿介质基板、覆铜层和半固化片后外接金属腔体;所述信号传输金属通孔连接覆铜层一、覆铜层二、覆铜层三、覆铜层四和覆铜层五。

3.根据权利要求1-2任一所述的系统级封装中的多层复合媒质基板,其特征在于:半固化片的介电常数与介质基板接近。

4.根据权利要求1-2任一所述的系统级封装中的多层复合媒质基板,其特征在于:半固化片材料采用fastrise27,基板材料采用clte-xt。

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