[发明专利]半导体装置的制造方法及焊接用压块

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：

准备：焊锡；焊接物；基材，其在所述焊锡的熔点以上的温度下，在主面具有因翘曲引起的高度差；压块，其使重心从所述焊接物的中心偏移，而只在与所述焊接物面对的一侧的边缘部具有腿；定位夹具，其具有用于将所述焊接物保持在所述基材主面的预定范围内的孔；阻隔材料，其可堵住熔融的所述焊锡；

在所述基材主面的预定范围的边缘部中因所述翘曲而高度相对变低的一侧的边缘部配置所述阻隔材料的工序；

在所述基材的主面载置所述定位夹具的工序；

在所述孔中重叠载置所述焊锡与所述焊接物的工序；

以使所述重心位于因所述翘曲而高度相对变低的一侧的方式将所述压块载置于所述焊接物的上表面的工序；以及

将温度升高至所述焊锡熔点以上的温度的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在升温至所述焊锡的熔点以上的温度的工序即将开始之前，

当将所述焊接物的高度因所述翘曲而相对变低的边缘部与所述焊接物的高度因所述翘曲而相对变高的边缘部之间的距离设定为L2，将因所述翘曲而使所述焊接物的高度相对变低的边缘部与所述压块的重心位置之间的距离设定为L1时，L1相对于L2的比在0.1以上0.45以下。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述压块的重量相对于所述焊接物的主面面积的比为0.002g/mm²～0.2g/mm²。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述压块的重量相对于所述焊接物的主面面积的比为0.002g/mm²～0.2g/mm²。

5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在升温至所述焊锡的熔点以上的温度的工序即将开始之前，在所述焊接物的上部配设有立体结构物。

6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述阻隔材料由抗蚀材料、石墨材料、夹具、激光束照射图案中的任意一种构成。

7.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述基材的主面的预定范围内设置有突起。

8.根据权利要求1至4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述焊锡中含有填料。

9.一种焊接用压块，所述压块被用于在主面具有因翘曲而引起高度差的位置，其特征在于，

所述压块由主体和腿构成，

只在所述主体的与焊接物面对的一面的边缘部配置有所述腿，使所述压块的重心向因翘曲而高度变低的位置偏移。

10.根据权利要求9所述的焊接用压块，其特征在于，所述主体为长方体。

11.根据权利要求9所述的焊接用压块，其特征在于，所述腿由U字形状构件构成。

12.根据权利要求9所述的焊接用压块，其特征在于，所述腿由多个直线形构件构成。

13.根据权利要求9至12中的任意一项所述的焊接用压块，其特征在于，在所述主体的与所述焊接物面对的一面的未配置有所述腿的角部配置有爪。