[发明专利]半导体封装件的制法及其所用的支撑件

说明书

一种半导体封装件的制法及其所用的支撑件，该半导体封装件的制法包括先提供一封装体，其具有绝缘层及嵌埋于该绝缘层中的至少一半导体组件，该半导体组件具有相对的主动面与非主动面，且该绝缘层具有相对的第一表面与第二表面，该第一表面与该主动面同侧，而该绝缘层的第二表面形成有至少一凹陷处；接着，形成填补材于该凹陷处中；之后形成线路重布结构于该半导体组件与该绝缘层上。藉由该填补材填满该凹陷处，以提升该绝缘层的第二表面的平整性。

技术领域

本发明涉及一种半导体封装件的制法，尤指一种能提升制程可靠度的半导体封装件的制法及其所用的支撑件。

背景技术

随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。为了满足半导体封装件微型化（miniaturization）的封装需求，发展出扇出（fan out）型封装的技术。

如图1A至图1E，其为现有扇出型半导体封装件的制法的剖面示意图。

如图1A所示，提供一承载件10，且该承载件10上具有粘着层101。接着，置放多个半导体组件12于该粘着层101上，该些半导体组件12具有相对的主动面12a与非主动面12b，各该主动面12a上均具有多个电极垫120，且各该主动面12a粘着于该粘着层101上。

由于受限于机台设计，所以无法将该些半导体组件12布设于该承载件10的边缘10a（即该承载件10的周围区域上没有该半导体组件12），因而使最外侧的该半导体组件12与该承载件10的边缘10a之间产生高低差h。此外，于各该半导体组件12之间也会产生高度差d。

如图1B所示，形成一绝缘层13于该粘着层101上，以包覆该半导体组件12，且因该高低差d,h的缘故，该绝缘层13产生多个凹陷处130,130’。

如图1C所示，压合一压合件11于该绝缘层13上，使该绝缘层13往外流（即向该承载件10的边缘10a流动），以压密该绝缘层13。

如图1D所示，热固该绝缘层13后，再移除该承载件10及粘着层101，以外露该半导体组件12的主动面12a。

如图1E所示，进行线路重布层(Redistribution layer,RDL)制程，通过形成一线路重布结构14于该绝缘层13与该半导体组件12的主动面12a上，令该线路重布结构14电性连接该半导体组件12的电极垫120。

接着，形成一绝缘保护层15于该线路重布结构14上，且该绝缘保护层15外露该线路重布结构14的部分表面，以供结合如焊锡凸块的导电组件16。之后，移除该压合件11，再进行切单制程。

然而，现有半导体封装件的制法中，于进行压合制程时，会因该高低差h的缘故，而造成总厚度变化（Total Thickness Variation,TTV）的增加，所以于后续移除该承载件10后而进行RDL制程时，于热固该绝缘层13后，该压合件11与该承载件10之间的缝隙t（即该凹陷处130）会增大，而造成该压合件11脱落（Peeling），且制程用的溶剂容易沿该缝隙t进入该绝缘层13的表面并残留于该缝隙t中，也会造成该压合件11脱落（Peeling），如图1D所示，致使制程良率不佳。

此外，因各该半导体组件12之间的高度差d，所以于压合制程后，该绝缘层13的表面会产生格子状，即凹痕（dent）现象（即该凹陷处130’），致使该压合件11与该绝缘层13之间会产生气泡（void）现象，造成后续进行RDL制程时，该压合件11脱落。

因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。

发明内容

鉴于上述现有技术的种种缺失，本发明的目的为提供一种半导体封装件的制法及其所用的支撑件，以提升该绝缘层的第二表面的平整性。