[发明专利]VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法有效
| 申请号： | 201410150483.3 | 申请日： | 2014-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN103878010A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;周彦松;于麒麟;赵丽宸;何强 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 牟永林 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | vb 金属 离子 掺杂 ga sub zn 固溶体 光催化剂 制备 方法 | ||
1.VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法，其特征在于VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法按以下步骤进行：一、将Ga2O3和ZnO混合，混合后加入VB族金属的化合物，再置于玛瑙研钵中室温下研磨，得到研磨后的前驱体；二、将研磨后的前驱体在氨气气氛中煅烧，再在氨气气氛下冷却至100℃后取出，然后冷却至室温，再经去离子水和无水乙醇洗涤得到VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂，即完成；其中(Ga1-xZnx)(N1-xOx)中的x为0<x<1，Ga2O3和ZnO中Ga元素与Zn元素的摩尔比为1:（0.8～1.1），Ga元素和Zn元素的总摩尔与VB族金属元素的摩尔比为1：（0.01～0.1）。
2.根据权利要求1所述的VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法，其特征在于步骤一所述的VB族金属的化合物为VB族金属的氧化物或VB族金属的硝酸盐。
3.根据权利要求1所述的VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法，其特征在于步骤一所述研磨的时间为30～60min。
4.根据权利要求1所述的VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法，其特征在于步骤二所述的煅烧的温度为750～900℃。
5.根据权利要求1所述的VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法，其特征在于步骤二所述的煅烧的时间为10～30h。
6.根据权利要求1所述的VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法，其特征在于步骤二所述的氨气的流速为100～150mL/min。
7.根据权利要求1所述的VB族金属离子掺杂(Ga1-xZnx)(N1-xOx)固溶体光催化剂的制备方法，其特征在于步骤二所述的去离子水和无水乙醇洗涤为先用去离子水洗涤2次，再用无水乙醇洗涤1次。
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