[发明专利]一种高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法无效
| 申请号： | 201410151393.6 | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN103950932A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 卢磊;海滨;朱广燕;刘三兵;陈效华 | 申请（专利权）人： | 奇瑞汽车股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/023 | 分类号： | C01B33/023;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京五月天专利商标代理有限公司 11294 | 代理人： | 吴宝泰;何宜章 |
| 地址： | 241009 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纯度 有序 半导体 纳米 制备 方法 | ||
1.一种高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1、将硅氧化物晶体清洗干净，除去硅氧化物晶体表面的污渍和油渍；
步骤2、把步骤1洗净的硅氧化物晶体烘干；
步骤3、将步骤2中烘干的硅氧化物晶体放入载体，送入高温管式炉的中段进行还原反应；还原反应前先排净设备管路中的氧化性气体，再进行还原反应；
步骤4、待步骤3反应结束后，设置高温管式炉降温至室温；
步骤5、待步骤4降温至室温后，取出载体，将载体上还原的硅纳米线收集、清洗并干燥后，获得尺寸一致，排列有序的高纯度硅纳米线。
2.根据权利要求1所述的高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：步骤3中将设备管路中的氧化性气体排净的方法是通入氮气或惰性气体。
3.根据权利要求1或2所述的高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：步骤3中还原反应的条件是：温度升至1100-1400℃，并保温1-6h，在保温阶段通入还原性气体，通气时间1-4h，通气流量1-40cm3/s。
4.根据权利要求3所述的高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：还原反应的温度升温至1300℃，并保温6h。
5.根据权利要求3所述的高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：还原反应的温度升温速率2-15℃/min。
6.根据权利要求3至5任一所述的高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：还原性气体的通气时间为2h，通气流量15cm3/s。
7.根据权利要求3至6任一所述的高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：在保温阶段通入的还原性气体是氢氩混合气体。
8.根据权利要求1所述的高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：步骤4中设置高温管式炉的降温速率为10-15℃/min降温至室温。
9.根据权利要求1所述的高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：步骤5中采用离心收集法收集载体上还原的硅纳米线，用去离子水洗净并真空干燥。
10.根据权利要求1至9任一所述的高纯度有序半导体硅纳米线的制备方法，其特征在于：硅氧化物晶体是二氧化硅晶体，载体采用耐高温瓷舟。
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