[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括第一有源区、第二有源区和在所述第一有源区和所述第二有源区之间并直接接触所述第一有源区和所述第二有源区的场区；以及

栅极结构，其形成在所述衬底上，以跨越所述第一有源区、所述第二有源区和所述场区，

其中所述栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，

其中所述p型金属栅电极形成在所述第一有源区上，并且所述n型金属栅电极形成在所述第二有源区上，并且

其中所述p型金属栅电极与所述n型金属栅电极之间的接触表面更靠近所述第一有源区而非所述第二有源区。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述场区具有与所述第一有源区和所述第二有源区等距间隔开的中心线，并且所述p型金属栅电极没有延伸至所述中心线。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述p型金属栅电极包括依次一个形成在另一个上的p型功函数调整层、第一下部金属栅电极和第一上部金属栅电极，并且所述n型金属栅电极包括依次一个形成在另一个上的第二下部金属栅电极和第二上部金属栅电极，但不包括p型功函数调整层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述接触表面由所述p型功函数调整层限定。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一下部金属栅电极和所述第二下部金属栅电极彼此直接接触，并且所述第一上部金属栅电极和所述第二上部金属栅电极彼此直接接触。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括层间介质层，其形成在所述衬底上并包括与所述第一有源区、所述场区和所述第二有源区交叉的沟槽，其中所述第一下部金属栅电极和所述第二下部金属栅电极沿着所述沟槽的侧壁和底表面形成。

7.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一下部金属栅电极和所述第二下部金属栅电极通过所述p型功函数调整层彼此分离。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述衬底是硅衬底，并且锗化硅沟道层设置在所述第一有源区与所述p型金属栅电极之间。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一有源区是静态随机存取存储器的上拉晶体管形成区，并且所述第二有源区是静态随机存取存储器的下拉晶体管形成区。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一有源区和所述第二有源区分别是第一鳍型有源图案和第二鳍型有源图案。

11.一种半导体器件，包括：

衬底，其包括第一有源区、第二有源区和在所述第一有源区和所述第二有源区之间并直接接触所述第一有源区和所述第二有源区的场区；

层间介质层，其形成在所述衬底上，所述层间介质层包括与所述第一有源区、所述场区和所述第二有源区交叉的沟槽；以及

栅极结构，其形成在所述沟槽中，以与所述第一有源区、所述第二有源区和所述场区交叉，所述栅极结构具有与所述层间介质层共面地形成的顶表面，

其中所述栅极结构包括彼此接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，并且在所述p型金属栅电极和所述n型金属栅电极之间形成接触表面，

其中所述p型金属栅电极形成在所述第一有源区上，并且所述n型金属栅电极形成在所述第二有源区上，并且

其中从所述接触表面至所述第一有源区的范围的第一宽度小于从所述接触表面至所述第二有源区的范围的第二宽度。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述p型金属栅电极和所述n型金属栅电极彼此直接接触。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中所述场区具有与所述第一有源区和所述第二有源区等距间隔开的中心线，并且所述接触表面位于所述中心线与所述第一有源区之间。