[发明专利]一种用于太阳能电池的多晶硅制作方法

权利要求书

1.一种用于太阳能电池的多晶硅制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)首先提供金属硅原料，并用冶炼提纯法去除原料中的过渡族及碱金属；

b)接着继续采用冶炼提纯法去除原料中的磷、硼和锗；

c)再将冶炼提纯后的多晶硅熔液倒入可进行定向凝固的容器里凝固成型，形成多晶硅锭；

d)检测多晶硅锭表面电阻率，并对检测值符合预设值的多晶硅锭进行破碎处理；

e)最后将破碎后的多晶硅碎块装入石英坩埚中，并将石英坩埚装入铸锭炉内，进行铸锭。

2.如权利要求1所述的用于太阳能电池的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤a)中的金属硅原料为硅石与石油焦或木炭的混合物，所述混合物中金属硅的纯度为90%～99%。

3.如权利要求2所述的用于太阳能电池的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤a)中冶金提纯处理后过渡族及碱金属的总量小于0.5ppmw。

4.如权利要求1所述的用于太阳能电池的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤b)中冶金提纯处理后控制磷的含量为0.1～0.6ppmw，硼的含量为0.05～0.3ppmw，锗含量为1～10ppmw。

5.如权利要求4所述的用于太阳能电池的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤c)中定向凝固的多晶硅锭中磷的含量为0.4ppmw，硼的含量为0.2ppmw，锗含量为5ppmw。

6.如权利要求1所述的用于太阳能电池的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤c)中定向凝固速率不大于3cm/小时。

7.如权利要求1所述的用于太阳能电池的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤d)中电阻率的预设值为1.5～3.0Ω·cm。

8.如权利要求7所述的用于太阳能电池的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤d)中将多晶硅锭表面去皮1～2cm后，采用辉光放电质谱法检测多晶硅锭表面电阻率。

9.如权利要求1所述的用于太阳能电池的多晶硅制作方法，其特征在于，所述步骤d)破碎后的多晶硅碎块最大尺寸不超过15cm。