[发明专利]一种表面增强拉曼金属纳米圆盘阵列基底的制备方法

权利要求书

1.表面增强拉曼金属纳米圆盘阵列基底的制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）在干净的Si基底上旋涂一层光刻胶，使用烘烤机烘烤；（2）在同步辐射X射线环境下使用X射线干涉曝光；（3）用显影液显影得到光刻胶的孔状阵列；（4）用物理气相沉积法沉积金属薄膜；（5）用丙酮去除剩余的PMMA得到金属纳米圆盘阵列。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中所述的光刻胶可以为PMMA等正胶。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(1)中所述的光刻胶的厚度为50~500nm

根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(2)中所述的曝光光栅为四光栅曝光或者三光栅曝光。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(3)中所述的显影液为甲基异丁基酮/异丙醇（MIBK/IPA）=1:3的配合混合溶液等正胶的显影液，显影时间为40~100s。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤(4)中所述的物理气相沉积法，可以为电子束气相沉积，磁控溅射物理沉积等沉积方法中的一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于步骤（4）、（5）中所述的金属为金，银，铜，铂等中的一种或任意两种的双层双金属。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所制得的金属纳米圆盘列阵的直径为100~190nm。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所制得的金属纳米圆盘列阵的周期为200×200nm。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于所制得的金属纳米圆盘列阵的厚度为1~100nm。