[发明专利]低压低功耗基准电压源及低基准电压产生电路

权利要求书

1.低压低功耗基准电压源，包括启动电路（1）、低基准电压产生电路（2）和稳定电路（3）；其特征在于：

启动电路（1）检测低基准电压产生电路（2）第一输出端的电压信号，以判断（2）是否在正常工作模式；当低基准电压产生电路（2）没有启动时，启动电路（1）强制产生一个输出电流源对低基准电压产生电路（2）进行充电，待充电完成后，低基准电压产生电路（2）被启动，进入正常工作模式，同时低基准电压产生电路（2）第一输出端的电压信号发生跳变，启动电路（2）再根据检测到的电压信号，自动关闭输出电流源；

所述低基准电压产生电路（2）第一输出端产生电压信号输出到启动电路（1）；在正常工作模式时，第二输出端产生基准电压输出，同时，该低基准电压产生电路（2）第三输出端输出基准电压取样信号到稳定电路（3）；

所述稳定电路（3）与低基准电压产生电路（2）形成负反馈环路，当基准电压上升时，稳定电路（3）产生抑制基准电压上升的信号，使基准电压稳定。

2.根据权利要求1所述的低压低功耗基准电压源，其特征在于：所述低基准电压产生电路（2）包括第一、第二等效PMOS管（MPS1、MPS2）、第一、第二PMOS管（MP1、MP2）、第一、第二、第三NMOS管（MN1、MN2、MN3）和电阻（R2），第一、第二、第三NMOS管（MN1、MN2、MN3）的衬底以及第一、第二NMOS管（MN1、MN2）的源极均与地（VSS）相接，第一、第二、第三NMOS管（MN1、MN2、MN3）的栅极同时与第二NMOS管（MN2）的漏极相接，还与第一等效PMOS管（MPS1）的漏极相接，第三NMOS管（MN3）的源极通过电阻（R2）接地（VSS），第三NMOS管（MN3）的漏极与第二等效PMOS管（MPS2）的漏极相接；第一、第二等效PMOS管（MPS1、MPS2）的源极均与第二PMOS管（MP2）的漏极相接，第一、第二等效PMOS管（MPS1、MPS2）的栅极均与地（VSS）相接；第一、第二等效PMOS管（MPS1、MPS2）的衬底相接；第一、第二PMOS管（MP1、MP2）的栅极同时与第一PMOS管（MP1）的漏极以及第一NMOS管（MN1）的漏极相接，第一、第二PMOS管（MP1、MP2）的源极均与电源（VCC）连接。

3.根据权利要求2所述的低压低功耗基准电压源，其特征在于：每个等效PMOS管均由多只PMOS管串接构成，即该多只PMOS管的栅极同时连接在一起，作为等效PMOS管的栅极，该多只PMOS管的衬底也同时连接在一起，作为等效PMOS管的衬底；该多只PMOS管中的第一只PMOS管的漏极作为等效PMOS管的漏极，该多只PMOS管中的第一只PMOS管的源极连接该多只PMOS管中的第二只PMOS管的漏极，该多只PMOS管中的第二只PMOS管的源极连接该多只PMOS管中的第三只PMOS管的漏极，依次类推，该多只PMOS管中的最后一只PMOS管的源极作为等效PMOS管的源极。

4.根据权利要求1、2或3所述的低压低功耗基准电压源，其特征在于：所述启动电路（2）包括第十五、十六PMOS管（MP15、MP16）和第五至第八NMOS管（MN5、MN6、MN7、MN8）；其中，第十五、十六PMOS管（MP15、MP16）的衬底及源极接电源（VCC），第五至第八NMOS管（MN5、MN6、MN7、MN8）的衬底以及第五NMOS管（MN5）的源极接地；第五NMOS管（MN5）的栅极和漏极接在一起，并与第六NMOS管（MN6）的源极相接，第六NMOS管（MN6）的栅极和漏极接在一起并与第十五PMOS管（MP15）的漏极连接；第十五PMOS管（MP15）的栅极接低基准电压产生电路（2）的第一输出端；第十六PMOS管（MP16）和第七NMOS管（MN7）构成反相器，它们的栅极接在一起，并与第十五PMOS管（MP15）的漏极相接，第十六PMOS管（MP16）和第七NMOS管（MN7）的漏极接在一起并与第八NMOS管（MN8）的栅极相接，第八NMOS管（MN8）的漏极与电源（VCC）相接，第八MN8管的源极输出信号到低基准电压产生电路（2）。