[发明专利]一种像素结构、液晶面板及其工艺方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种像素结构，包含该像素结构的液晶面板，以及制造该像素结构的工艺方法。

背景技术

目前的像素结构如图1所示，在基板100上，设置有栅极101，在栅极上方设置有栅极绝缘层102，有源层103设置于栅极绝缘层102上方，且位于栅极101上方。在有源层103上方绝缘地设置源极104以及漏极105，源极104、漏极105上方依次形成有覆盖整个基板的无机钝化膜106和有机钝化膜107。在有机钝化膜107上形成公共电极108，公共电极108上方形成上部绝缘膜109，上部绝缘膜109上形成像素电极110。漏极105具有漏极延伸部105a，漏极延伸部105a通过贯穿上部绝缘膜109、有机钝化膜107以及无机钝化膜107的过孔111与像素电极110相连接。

这种结构中，由于漏极与像素电极用过孔连接，过孔上方液晶无法正常偏转、取向混乱，导致漏光。作为对策，目前一般都在过孔上方采用黑矩阵（BM）遮挡，这会造成光透过率的降低。随着近年来液晶屏像素（PPI）的增加，过孔尺寸对透过率的影响越来越明显。

发明内容

本发明旨在提供一种像素结构，能够减少像素结构中漏极与像素电极连接的过孔尺寸。

一种像素结构，包含：基板；薄膜晶体管，设置于所述基板上方，所述薄膜晶体管包含栅极、栅极绝缘层、有源层、源极、漏极；至少一个凸起，所述凸起采用薄膜晶体管任一层同种材料制成，所述凸起位于所述漏极下方；钝化膜，覆盖于所述薄膜晶体管上方；公共电极，设置于所述钝化膜上方；上部绝缘膜，设置于所述公共电极上方；过孔，贯穿所述上部绝缘膜及所述钝化膜；像素电极，设置于所述上部绝缘膜上方，所述像素电极通过所述过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

一种液晶面板，包含上述的像素结构。

一种制造像素结构的工艺方法，包含：提供一基板；在基板上方形成栅极，同时在所述栅极的一侧形成有凸起结构；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层；在有源层上表面绝缘地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。

一种制造像素结构的工艺方法，包含：提供一基板；在基板上方形成栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层，同时在对应栅极一侧的位置形成凸起结构；在栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层；，在有源层上表面绝缘地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。

一种制造像素结构的工艺方法，包含：提供一基板；在基板上方形成栅极；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层，同时在所述有源层的一侧形成凸起结构；在所述有源层上表面分离地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。

一种制造像素结构的工艺方法，包含：提供一基板；在基板上方形成栅极，同时在所述栅极的一侧形成第一凸起结构；在所述栅极上方形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上方对应栅极的位置形成有源层，同时在有源层对应第一凸起的位置形成第二凸起结构；在所述有源层上表面分离地设置源极和漏极，所述漏极覆盖所述第一凸起和第二凸起；在源极和漏极层上方形成钝化膜；在钝化膜上方形成公共电极；在所述公共电极上方形成上部绝缘膜；形成贯穿所述上部绝缘膜和所述钝化膜的过孔；在所述上部绝缘膜上方形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与漏极电连接。

本发明具有如下一种或多种的技术效果：

1，能够减小像素电极与薄膜晶体管（TFT）漏极相连的过孔尺寸，从而有效防止过孔上方液晶偏转不正常造成的漏光等现象。

2，能够减小过孔上方黑矩阵（BM）的尺寸，从而提高透光率。

3，能够通过一步工艺同时形成TFT和凸起，无需额外工艺步骤，节省成本。

附图说明

图1为现有技术的像素结构示意图；