[发明专利]水平扩散金氧半导体元件

权利要求书

1.一种水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，包括：

一半导体基底；

一磊晶层在该半导体基底上；

一图案化的隔离层设置于该磊晶层上，借以定义一第一主动区、一第二主动区及一通道区，其中该通道区位于该第一主动区及该第二主动区之间；

一N型双扩散区设置于该第一主动区中；

一N型浓掺杂漏极区设置于该N-型双扩散区中；

一P型体掺杂区设置于该第二主动区中，其中该N-型双扩散区和该P-型体掺杂区相隔一第一预定距离，以露出该磊晶层；

一对相邻的一N型浓掺杂源极区和一P型浓掺杂源极区设置于该P型体掺杂区中；

一第一栅极结构设置于该通道区上；以及

一第二栅极结构设置于该第二主动区上，其中该第二栅极结构与该第一栅极结构相隔一第二预定距离。

2.根据权利要求1所述的水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，该第二栅极结构具有一延伸部，该延伸部是自一界面朝该第一栅极结构延伸，且该延伸部设置于该通道区上，其中该界面位于该P型体掺杂区与该通道区之间。

3.根据权利要求2所述的水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，该延伸部的一长度与该第一预定距离的一比例是0.13至0.52。

4.根据权利要求2所述的水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，该延伸部的一长度与该第一预定距离的一比例是0.35至0.52。

5.根据权利要求1所述的水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，该第二特定距离是0.1μm至10μm。

6.根据权利要求1所述的水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，还包含一栅极介电层设置于该第一栅极结构与该通道区之间。

7.根据权利要求6所述的水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，该栅极介电层的一厚度为12nm至100nm。

8.根据权利要求6所述的水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，该栅极介电层的材质为二氧化硅。

9.根据权利要求6所述的水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，该栅极介电层设置于该第二栅极结构与该第二主动区之间。

10.根据权利要求1所述的水平扩散N型金氧半导体元件，其特征在于，该第一栅极结构的一长度为1nm至1000nm。

11.一种水平扩散P型金氧半导体元件，其特征在于，包括：

一半导体基底；

一磊晶层在该半导体基底上；

一图案化的隔离层设置于该磊晶层上，借以定义一第一主动区、一第二主动区及一通道区，其中该通道区位于该第一主动区及该第二主动区之间；

一P型双扩散区设置于该第一主动区中；

一P型浓掺杂漏极区设置于该P型双扩散区中；

一N型体掺杂区于该第二主动区中，其中该P型双扩散区和该N型体掺杂区相隔一第一预定距离，以露出该磊晶层；

一对相邻的一P型浓掺杂源极区和一N型浓掺杂源极区设置于该N-型体掺杂区中；

一第一栅极结构设置于该通道区上；以及

一第二栅极结构设置于该第二主动区上，且该第二栅极结构与该第一栅极结构相隔一第二预定距离。

12.根据权利要求11所述的水平扩散P型金氧半导体元件，其特征在于，该第二栅极结构具有一延伸部，该延伸部是自一界面朝该第一栅极结构延伸，且该延伸部设置于该通道区上，其中该界面位于该N型体掺杂区与该通道区之间。

13.根据权利要求12所述的水平扩散P型金氧半导体元件，其特征在于，该延伸部的一长度与该第一预定距离的一比例是0.13至0.52。

14.根据权利要求12所述的水平扩散P型金氧半导体元件，其特征在于，该延伸部的一长度与该第一预定距离的一比例是0.35至0.52。

15.根据权利要求11所述的水平扩散P型金氧半导体元件，其特征在于，该第二特定距离是0.1μm至10μm。

16.根据权利要求11所述的水平扩散P型金氧半导体元件，其特征在于，还包含一栅极介电层设置于该第一栅极结构与该通道区之间。