[发明专利]一种多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种铸锭炉设备及其使用方法，尤其涉及一种多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法。

背景技术

多晶硅及准单晶铸锭是在生产多晶硅及准单晶硅太阳能电池的主要生产环节。多晶硅铸锭炉是将多晶硅料熔化成溶液后，通过热场的控制，实现定向凝固的过程；准单晶硅铸锭是在多晶硅铸锭装料前，将少量单晶硅作为籽晶铺设在坩埚底部，并实现部分熔化，最后以此单晶硅为籽晶进行定向凝固的过程。

现有在生产用的多晶硅及准单晶硅铸锭炉一般使用石墨电阻型加热器作为热源。石墨加热器通过辐射和传导的方式将热量传递到多晶硅原料，石墨加热器与多晶硅料及坩埚一同处在高温并需要惰性气氛保护的热场内。其石墨电阻加热器对温度控制精度较差，石墨加热器损耗大，更换周期短。因此，有必要对多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种多晶硅和准单晶硅铸锭炉及其使用方法，能够大大减小加热时的热损耗，具有能耗小，安全系数高，易于控制维护的特点。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种多晶硅和准单晶硅铸锭炉，包括石英坩埚，其中，所述石英坩埚的外侧设有第一感应加热器，底部设有第二感应加热器，顶部设有第三感应加热器，所述石英坩埚外设有石墨坩埚，所述石英坩埚和石墨坩埚之间设有隔热层，所述第一感应加热器围绕设置在石墨坩埚的外侧。

上述的多晶硅和准单晶硅铸锭炉，其中，所述第一感应加热器为5～8个上下并行排布且可单独加热的感应线圈。

上述的多晶硅和准单晶硅铸锭炉，其中，所述第二感应加热器为水平均匀排布的空心高导热线圈，所述空心高导热线圈内设有冷却液，所述第二感应加热器和石英坩埚之间设有石墨板。

上述的多晶硅和准单晶硅铸锭炉，其中，所述空心高导热线圈的宽度为100～150mm，间隙为5～30mm，所述空心高导热线圈内的冷却液为20℃的冷水。

上述的多晶硅和准单晶硅铸锭炉，其中，所述石墨坩埚由底板和四面侧板拼装而成，并配有顶盖板；所述石英坩埚的厚度为1.5～2.5mm，所述石英坩埚和隔热层的间隔为5～10mm，所述石墨坩埚的厚度为1.5～2mm；所述第三感应加热器为水平横向盘旋分布在所述顶盖板上的加热线圈。

本发明为解决上述技术问题还提供一种上述多晶硅和准单晶硅铸锭炉的使用方法，包括如下步骤：a)在石英坩埚中放入所需的块状多晶硅硅料，然后对铸锭炉抽真空；b)利用外侧的第一感应加热器，底部的第二感应加热器和顶部的第三感应加热器同时对石英坩埚内硅料进行加热，加热时间为9～12小时，熔化后保持硅液温度在1500℃左右；c)接着利用顶部、底部及外侧面感应磁场对硅溶液进行搅拌，以达到均匀溶液的目的；搅拌时间为1小时，停止搅拌后，静置1小时；d)降低底部第二感应加热器和外侧的第一感应加热器的功率，使得铸锭炉内形成由下往上依次升温的定向温度梯度，控制长晶方向并进行定向凝固；e）长晶结束后，降温至退火温度，冷却出炉。

上述的多晶硅和准单晶硅铸锭炉的使用方法，其中，所述第一感应加热器为5～8个上下并行排布且可单独加热的感应线圈，所述第二感应加热器为水平均匀排布的空心高导热线圈；所述步骤d)中先通过在底部的空心高导热线圈通入冷却水，将热量由底部冷却水带走，再通过从上往下依次降低第一感应加热器的多个感应线圈的加热功率，形成定向温度梯度。

上述的多晶硅和准单晶硅铸锭炉的使用方法，其中，所述步骤d)中长晶时间为40～50小时，在长晶的中期，通过电磁搅拌的方法，将固液界面的过量杂质在溶液中均匀化，通过部分再融化使断裂的晶体继续生长，直到生长完成，所述电磁搅拌时间为3小时。

上述的多晶硅和准单晶硅铸锭炉的使用方法，其中，所述步骤e）中在600℃～1100℃的温度下退火2小时，退火完毕后，对硅锭进行水冷盘和/或吹气降温至250℃，最后在铸锭炉中充入惰性气体实现正压后出炉。

上述的多晶硅和准单晶硅铸锭炉的使用方法，其中，所述步骤a)中在放入多晶硅硅料前，先在石英坩埚底部平铺放入籽晶，所述籽晶的厚度为0.5cm，所述籽晶之间的间隙为1～2mm。