[发明专利]具有反冲保护的电压调节器

权利要求书

1.一种电压调节器，所述电压调节器具有输入端子和输出端子，所述电压调节器包括：

在所述输入端子和中间端子之间的高侧晶体管；

在所述中间端子和地之间的低侧晶体管；

包括低侧电容器和低侧反相器的低侧驱动电路，其中所述低侧反相器的输出连接至所述低侧晶体管的栅极；

控制器，其驱动所述高侧晶体管和所述低侧晶体管，以将所述中间端子交替地耦合至所述输入端子和所述地，其中所述控制器被配置为通过控制所述低侧反相器来驱动所述低侧晶体管；

耦合在所述低侧驱动电路与第一节点之间的开关，所述开关被配置为在所述低侧晶体管的关断状态期间阻止从所述低侧电容器泄漏电荷；

连接至所述高侧晶体管的栅极的高侧反相器；

附加晶体管，所述附加晶体管连接在所述第一节点与所述高侧反相器的正电压端子之间，使得所述开关串联电耦合在所述附加晶体管与所述低侧驱动电路之间；

反馈电路，所述反馈电路被配置为产生反馈信号，所述反馈信号代表通过所述输出端子的负载电流的大小；以及

电压源，所述电压源电耦合至所述第一节点，并被配置为根据所述反馈信号来调节在所述第一节点处的电压的大小；

所述控制器还被配置为根据所述反馈信号来驱动所述附加晶体管。

2.如权利要求1所述的电压调节器，其中所述开关包括隔离晶体管，所述隔离晶体管在所述低侧晶体管的关断状态期间关断。

3.如权利要求2所述的电压调节器，包括第二反相器，所述第二反相器连接至所述隔离晶体管的栅极，其中所述控制器被配置为在所述低侧晶体管的关断状态期间通过所述第二反相器关断所述隔离晶体管。

4.如权利要求2所述的电压调节器，其中所述低侧晶体管为nMOS晶体管，且所述隔离晶体管为pMOS晶体管。

5.如权利要求2所述的电压调节器，其中所述低侧晶体管为pMOS晶体管，且所述隔离晶体管为nMOS晶体管。

6.如权利要求2所述的电压调节器，其中所述低侧反相器包括正电压端子，所述正电压端子连接至所述隔离晶体管的漏极。

7.如权利要求2所述的电压调节器，其中所述低侧反相器包括负电压端子，所述负电压端子连接至第二反相器的另一负电压端子，所述第二反相器连接至所述隔离晶体管的栅极。

8.如权利要求1所述的电压调节器，其中所述开关包括二极管电路。

9.一种电压调节器，所述电压调节器具有输入端子和输出端子，所述电压调节器包括：

在所述输入端子和中间端子之间的高侧晶体管，所述高侧晶体管连接至高侧驱动电路；

在所述中间端子和地之间的低侧晶体管，所述低侧晶体管连接至包括电容器和反相器的低侧驱动电路；以及

控制器，其连接至所述高侧驱动电路和所述低侧驱动电路，以将所述中间端子交替地耦合至所述输入端子和所述地，

其中所述反相器包括正电压端子和负电压端子，所述正电压端子被配置为连接至第一直流(DC)电压源，所述负电压端子被配置为连接至不同的第二直流电压源。

10.如权利要求9所述的电压调节器，其中用于导通所述低侧晶体管的低侧阈值电压小于所述第一直流电压源和所述第二直流电压源的各自输出之间的差值。

11.如权利要求10所述的电压调节器，其中所述低侧阈值电压大于所述第二直流电压源的输出。

12.如权利要求11所述的电压调节器，其中所述低侧阈值电压使得所述低侧阈值电压与所述第二直流电压源的输出电压之间的差值基本等于用于导通所述高侧晶体管的高侧阈值电压。

13.如权利要求10所述的电压调节器，其中所述阈值电压在2.3V与4V之间。