[发明专利]晶体管的形成方法

权利要求书

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域；

在所述第一区域上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括位于衬底表面的伪栅介质层和位于所述伪栅介质层表面的伪栅极；

在所述第二区域上形成第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第二栅介质层和位于所述第二栅介质层表面的第二栅极，所述伪栅介质层的厚度小于第二栅介质层的厚度，所述伪栅极与第二栅极的顶部表面齐平；

在所述伪栅结构和第二栅极结构侧壁表面形成侧墙；

在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层的表面与所述伪栅结构和第二栅极结构的顶部表面齐平；

去除所述伪栅结构，在第一区域上形成凹槽，所述凹槽底部暴露出部分衬底的表面；

在所述凹槽内形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括位于所述凹槽内壁表面的第一栅介质层和位于所述第一栅介质层表面且填充满所述凹槽的第一栅极；

还包括：刻蚀所述第一栅极结构，使所述第一栅极结构的顶部表面低于所述第一介质层的顶部表面；在所述第一栅极结构顶部形成保护层，所述保护层的顶部表面与第一介质层的顶部表面齐平；在所述第一介质层表面、保护层表面和第二栅极结构表面形成第二介质层。

2.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述伪栅结构和第二栅极结构的方法包括：在所述衬底表面形成覆盖所述第一区域和第二区域的栅介质材料层，所述第一区域上的栅介质材料层的厚度小于第二区域上的栅介质材料层的厚度；在所述栅介质材料层表面形成栅极材料层；刻蚀所述栅介质材料层和栅极材料层，在第一区域上形成伪栅结构，在第二区域上形成第二栅极结构。

3.根据权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，形成所述栅介质材料层的方法包括：在所述衬底表面形成厚度均匀的栅介质材料薄膜；在第二区域的栅介质材料薄膜表面形成第一掩膜层，暴露出第一区域上的栅介质材料薄膜；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述第一区域上的栅介质材料薄膜，形成栅介质材料层，使所述第一区域上的栅介质材料层的厚度小于第二区域上的栅介质材料层的厚度。

4.根据权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪栅介质层的厚度为0.5nm～2.5nm，所述第二栅介质层的厚度为10nm～20nm。

5.根据权利要求2所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述栅介质材料层的材料为氧化硅。

6.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度小于10nm。

7.根据权利要求1所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述第二介质层，在第一区域的第二介质层内形成第一开口，所述第一开口底部暴露出第一栅极结构上的部分保护层的表面，在第二区域的第二介质层内形成第二开口，所述第二开口暴露出部分第二栅极的部分表面；沿第一开口刻蚀所述保护层，暴露出部分第一栅极的表面，形成第一通孔，同时沿第二开口刻蚀所述第二栅极，形成第二通孔，所述第二通孔的底部表面位于所述第二栅极内。

8.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的刻蚀速率小于第二栅极的刻蚀速率。

9.根据权利要求8所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二栅极的刻蚀速率为保护层刻蚀速率的3倍以上。

10.根据权利要求9所述的晶体管的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅，所述第二栅极的材料为多晶硅。

11.根据权利要求7所述的晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第一通孔和第二通孔内填充金属材料，在所述第一栅极表面形成第一金属插塞，在所述第二栅极表面形成第二金属插塞。