[发明专利]化学气相沉积设备

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示面板制造技术领域，特别是涉及一种化学气相沉积设备。

背景技术

在TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）制造过程中，CVD（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）是在基板上形成TFT的重要工序之一，也就是我们俗称的镀膜，其中镀膜设备是在高温真空环境下利用高频电压使反应气体生成等离子体最后形成固态半导体沉积在基板上。为了使基板上能够形成均一膜厚的半导体膜层，就需要对反应设备的精密度有严格的要求。

现有技术中常用的化学气相沉积设备的结构示意图如图1所示，包括真空反应室和设置在真空反应室内的气体扩散结构、待镀膜的基板结构，真空反应室包括底座1和盖扣在底座1上的盖板4，底座1和盖板4均为槽状结构，底座1和盖板4盖合密封之后形成真空腔室，底座1内设置载台2，载台2上用于放置基板3，基板3上表面进行镀膜，盖板4内设置气体扩散器5，气体扩散器5通过连接口7与盖板4连接，底座1和盖板4扣合之后，气体扩散器5位于基板3正上方，盖板4的顶盖上开设有气体导入管6。利用该化学气相沉积设备进行镀膜时，反应气体通过气体导入管6通入真空反应室内，经由气体扩散器5喷溅到基板3表面沉积形成膜层。

上述的化学气相沉积设备中，气体扩散器5作为上部电极，载台2上设置下部电极，镀膜的效果与两极的电极板平整度、气体扩散器5的孔径等等结构有密切的关系。由于反映设备内的环境为高频高温条件，这样就加速了备件老化过程，如电极板变形，气体扩散器孔径局部变大等情况，这种现象导致的直接问题就是，所镀到基板上的膜厚均匀性较差，具有局部膜厚缺陷状况发生，进一步将会影响显示基板的显示品质。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何降低化学气相沉积设备在长期使用过程中因备件老化所带来的镀膜厚度不均匀缺陷。

（二）技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供一种化学气相沉积设备，包括底座和盖板，所述底座和盖板均为槽状且两者盖合之后形成真空反应室，所述底座内设置载台，所述载台上放置待镀膜基板，所述盖板内设置气体扩散器，所述盖板的顶盖上开设有气体导入管；所述气体扩散器设置为分体式结构，包括多个独立的分体扩散器，多个所述分体扩散器位于同一水平层面上，每个所述分体扩散器上设置升降调节机构，由升降调节机构带动其对应的分体扩散器沿竖直方向升降。

优选地，每个所述升降调节机构包括：间距调节杆，其穿过所述盖板的顶盖且可上下移动，底端连接所述分体扩散器，顶端位于所述盖板外部；限位件，设置在所述间距调节杆的顶端，用以对间距调节杆顶端进行定位。

优选地，所述盖板的顶盖外部设置有固定架，所述间距调节杆顶端通过限位件定位在所述固定架上。

优选地，所述间距调节杆上套设有密封圈，所述密封圈靠近所述盖板顶盖。

优选地，所述间距调节杆上套设有密封圈固定块，所述密封圈固定块固定在所述盖板顶盖上且下压所述密封圈。

优选地，所述间距调节杆顶端设有螺纹，所述限位件为调节螺栓。

优选地，每个所述升降调节机构包括多根间距调节杆，多根间距调节杆均匀分布在一个分体扩散器四周。

优选地，相邻的两个所述分体扩散器之间，相邻设置的间距调节杆共用一个固定架。

优选地，相邻的两个所述分体扩散器之间通过连接口活动连接，该连接口与气体扩散器和盖板之间的连接口相同。

优选地，所述间距调节杆顶端设置有刻度标识。

（三）有益效果

上述技术方案所提供的化学气相沉积设备，将气体扩散器设置为分体式结构，并对每个分体扩散器单独设置一个升降调节机构，通过调节每个独立式的分体扩散器的垂直位置以确定该电极板到下电极板之间的距离，使得整个气体扩散器喷射的反应物均匀沉积到下方基板上，提高基板成膜均匀性，弥补了由于备件老化导致的半导体膜局部缺陷不良问题，提高TFT产品良率，延长设备备件的使用寿命。

附图说明

图1是现有技术中化学气相沉积设备的结构示意图；

图2是本发明实施例中化学气相沉积设备的整体结构示意图；

图3是图2中化学气相沉积设备的局部结构示意图；

图4是图2中气体扩散器的结构示意图。