[发明专利]带有压力隔离的MEMS器件及制作方法有效
申请号: | 201410156341.8 | 申请日: | 2014-04-18 |
公开(公告)号: | CN104108676B | 公开(公告)日: | 2017-04-19 |
发明(设计)人: | A·A·盖斯伯格 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 郭思宇 |
地址: | 美国得*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 压力 隔离 mems 器件 制作方法 | ||
1.一种微机电系统MEMS器件,包括:
衬底;
悬浮在所述衬底的表面之上的器件结构,所述器件结构包括检验质量结构,第一梁和第二梁,所述第一梁和所述第二梁被定向以便所述第一梁和所述第二梁的纵长边缘位于彼此旁边;以及
悬浮在所述表面之上并介于所述第一梁和所述第二梁之间的至少一个隔离段,其中所述第一梁和所述第二梁中的每一个的中间部分被横向地锚定到所述至少一个隔离段,并且所述至少一个隔离段提供所述第一梁和所述第二梁之间的电隔离。
2.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述检验质量结构的可移动元件被配置以在平行于所述衬底的所述表面的感测方向上移动,以及所述至少一个隔离段和所述第一梁和所述第二梁中的所述每一个的所述中间部分之间的互连形成所述MEMS器件的刚性悬浮支柱,以便所述第一梁和所述第二梁相对于所述可移动元件基本上是不可移动的。
3.根据权利要求1所述的MEMS器件,还包括:
第一多个梁,所述第一多个梁包括所述第一梁;
第二多个梁,所述第二多个梁包括所述第二梁,所述第一多个梁中的所述梁与所述第二多个梁中的所述梁交替排列;以及
所述器件结构中的多个隔离段,所述多个隔离段中的每一个隔离段介于所述第一多个梁和所述第二多个梁中的与其相邻的所述梁之间并与其互连,以便形成所述MEMS器件的刚性悬浮支柱。
4.根据权利要求1所述的MEMS器件,还包括附加隔离段,所述附加隔离段提供所述第一梁和所述第二梁与所述检验质量结构之间的互连,以及提供所述第一梁和所述第二梁与所述检验质量结构之间的电隔离。
5.根据权利要求4所述的MEMS器件,其中:
所述检验质量结构包括被横向地锚定到所述附加隔离段的悬浮锚部;以及
所述MEMS器件还包括耦合于所述衬底的检测质量锚以及互连于所述检测质量锚和所述检验质量结构的所述悬浮锚部之间的顺从部件。
6.根据权利要求5所述的MEMS器件,其中所述检验质量结构还包括可移动元件和互连于所述悬浮锚部和所述可移动元件之间的弯曲部分,所述弯曲部分使能所述可移动元件在平行于所述衬底的所述表面的感测方向上相对于所述悬浮锚部的移动。
7.根据权利要求1所述的MEMS器件,其中所述第一梁和所述第二梁的远段没有所述至少一个隔离段,以便所述第一梁和所述第二梁的所述远段彼此间隔开。
8.根据权利要求1所述的MEMS器件,还包括:
耦合于所述衬底和所述第一梁之间的第一顺从结构;以及
耦合于所述衬底和所述第二梁之间的第二顺从结构。
9.根据权利要求8所述的MEMS器件,其中:
所述第一顺从结构为所述第一梁形成到所述衬底的第一导电路径;以及
所述第二顺从结构为所述第二梁形成到所述衬底的第二导电路径,所述第二导电路径与所述第一导电路径电隔离。
10.根据权利要求8所述的MEMS器件,其中:
所述第一顺从结构包括带有耦合于所述第一梁的、紧接所述第一梁的所述中间部分的第一末端的第一顺从部件;以及
所述第二顺从结构包括带有耦合于所述第二梁的、紧接所述第二梁的所述中间部分的第二末端的第二顺从部件。
11.根据权利要求10所述的MEMS器件,其中:
所述第一梁包括第一段和第二段,所述第一梁的所述中间部分位于所述第一段和所述第二段之间;
所述第二梁包括第三段和第四段,所述第二梁的所述中间部分位于所述第三段和所述第四段之间;
所述第一顺从部件包括带有所述第一末端的第一伸长部分,所述第一伸长部分位于所述第一段和所述第三段之间;
所述第二顺从部件包括带有所述第二末端的第二伸长部分,所述第二伸长部分位于所述第二段和所述第四段之间。
12.根据权利要求8所述的MEMS器件,其中:
所述第一顺从结构包括耦合于所述衬底超过所述第一梁的第一远端的第一锚;以及
所述第二顺从结构包括耦合于所述衬底超过所述第二梁的第二远端的第二锚。
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