[发明专利]一种用于集成电路多层布线中钨插塞的抛光液及其制备方法

权利要求书

1.一种用于集成电路多层布线中钨插塞的抛光液，其特征在于包括如下组分：粒径为15～100nm的硅溶胶550～600份；乙二胺四乙酸5～50份；表面活性剂OP-10 40～50份；过氧焦磷酸35～38份，去离子水80～100份，以重量份计；用胺碱调节pH值至9～12。

2.根据权利要求1所述的用于集成电路多层布线中钨插塞的抛光液，其特征在于：所述硅溶胶的分散度在±5%之间，含量为20%～50%。

3.根据权利要求1所述的用于集成电路多层布线中钨插塞的抛光液，其特征在于：所述胺碱为三乙醇胺或四甲基氢氧化铵。

4.根据权利要求1-3所述的用于集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）使用18MΩ以上的超纯水清洗密闭反应釜及进料管，至少清洗三次以上，使清洗后废液的电阻不低于16MΩ；

（2）将硅溶胶和去离子水通过步骤（1）清洗后的进料管加入到密闭的反应釜中，对密闭反应釜抽真空室密闭反应釜内呈负压完全涡流状态，形成涡流搅拌；

（3）在涡流搅拌的过程中将乙二胺四乙酸、表面活性剂OP-10和过氧焦磷酸依次加入到密闭反应釜中，持续保持完全涡流状态；

（4）将胺碱在完全涡流的状态下加入到混合溶液中，调节PH值至9～12，充分涡流5～15分钟后得到用于集成电路多层布线中钨插塞的抛光液。

5.根据权利要求4所述的用于集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法，其特征在于：所述密闭反应釜为聚丙烯、聚乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯中的任意一种。