[发明专利]一种带隙基准电压产生电路

权利要求书

1.一种带隙基准电压产生电路，其特征在于，包括：

负温特性电流产生电路（30），所述负温特性电流产生电路（30）用于产生负温特性电流；

正温特性电流产生电路（20），所述正温特性电流产生电路（20）连接到所述负温特性电流产生电路（30）上，用于产生正温特性电流，并且所述正温特性电流与所述负温特性电流叠加形成所述带隙基准电压产生电路的输出电流；

稳压电路（10），所述稳压电路（10）连接到所述正温特性电流产生电路（20）上，并与所述正温特性电流产生电路（20）形成负反馈环路。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述稳压电路（10）包括第六MOS管（M6）和第七MOS管（M7），其中：

所述第六MOS管（M6）的源极连接到系统电源（VDD），所述第六MOS管（M6）的栅极连接到所述正温特性电流产生电路并且连接到所述第六MOS管（M6）的漏极，所述第六MOS管（M6）的漏极连接到所述第七MOS管（M7）的源极；

所述第七MOS管（M7）的栅极连接到所述正温特性电流产生电路，所述第七MOS管（M7）的漏极接地。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述正温特性电流产生电路（20）包括第一MOS管（M1）、第二MOS管（M2）、第三MOS管（M3）、第四MOS管（M4）、第一电阻（R1）、第一双极晶体管（Q1）和第二双极晶体管（Q2），其中：

所述第三MOS管（M3）的源极连接到系统电源（VDD），所述第三MOS管（M3）的漏极连接到所述第一MOS管（M1）的源极和栅极，所述第三MOS管（M3）的栅极连接到所述第四MOS管（M4）的栅极并且连接到所述第六MOS管（M6）的栅极和所述负温特性电流产生电路（30）；

所述第四MOS管（M4）的源极连接到系统电源（VDD），所述第四MOS管（M4）的漏极连接到所述第二MOS管（M2）的源极和所述第七MOS管（M7）的栅极；

所述第二MOS管（M2）的栅极连接到所述第一MOS管（M1）的栅极，所述第二MOS管（M2）的漏极连接到所述第一双极晶体管（Q1）的发射极；

所述第一双极晶体管（Q1）的集电极和基极接地；

所述第一MOS管（M1）的漏极通过所述第一电阻（R1）连接到所述第二双极晶体管（Q2）的发射极；

所述第二双极晶体管（Q2）的集电极和基极接地。

4.如权利要求3所述的电路，其特征在于，所述负温特性电流产生电路（30）包括第五MOS管（M5）、第二电阻（R2）和第三双极晶体管（Q3），其中：

所述第五MOS管（M5）的源极连接到系统电源（VDD），所述第五MOS管（M5）的栅极连接到所述第三MOS管（M3）的栅极，所述第五MOS管（M5）的漏极连接到所述带隙基准电压产生电路的输出端（BGR）；

所述第三双极晶体管（Q3）的发射极通过所述第二电阻（R2）连接到所述输出端（BGR），所述第三双极晶体管（Q3）的集电极和基极接地。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的电路，其特征在于：所述第一MOS管（M1）和所述第二MOS管（M2）的漏极电压相等。