[发明专利]低功耗薄背栅石墨烯场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1. 一种低功耗薄背栅石墨烯场效应晶体管的制备方法，其特征是采用以下步骤：

（1）在n型Si衬底的表面热生长SiO₂介质层；

（2）对SiO₂介质层进行光刻，显影后用反应离子刻蚀SiO₂介质层，形成沟槽；

（3）转移石墨烯到刻蚀后的SiO₂介质层上，形成石墨烯沟道； 

（4）在石墨烯沟道表面依次溅射5 nm 厚的TiW合金和100 nm厚 的Au，再进行光刻，显影后，腐蚀TiW/Au形成线型Au连线和Au 电极片，构成源极电极和漏极电极，制备出栅氧为10 nm厚的薄背栅石墨烯场效应晶体管。

2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：步骤（1）中，n型Si衬底的电阻率为1~10 Ωcm，表面热生长SiO₂介质层的厚度为300 nm；步骤（2）中，沟槽的宽度为3~8 μm。

3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征是：步骤（2）中，反应离子刻蚀的压力是1300 Torr、功率是500 W、三氟甲烷是18 sccm、六氟化硫是3.5 sccm、氦是95 sccm、持续时间是1 min。