[发明专利]一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法无效
| 申请号： | 201410157127.4 | 申请日： | 2014-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN103928340A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;杨松波;沈于兰 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 直接 生长 二维 二硫化钼 器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种直接生长二维的二硫化钼背栅器件的方法，其特征在于具体步骤为：
（1）提供生长有二氧化硅的高掺硅衬底；
（2）利用掩膜板，在衬底上淀积钼薄块和在其两边淀积不连续的铜斑点；
（3）利用化学气相沉积方法，在经上述处理的衬底上生长二硫化钼；
（4）利用化学气相沉积方法，在经上述处理的衬底上生长石墨烯作为器件电极；
（5）在二硫化钼上生长氮化硼，作为保护层，最后形成器件。
2. 根据权利要求1所述方法，其特征在于所述的二氧化硅衬底表面先要经过抛光处理，并进行清洗，去除表面的杂质、颗粒、残留试剂，使衬底表面干净，平整光滑，没有玷污；利用掩膜板，在衬底上淀积钼薄块和在其两边淀积不连续的铜斑点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
