[发明专利]一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具

权利要求书

1.一种使用陶瓷散热的高功率LED灯具，包括陶瓷散热基座（60），在所述陶瓷散热基座（60）的一面固定电路板，在所述电路板连接有白光LED倒装芯片（50），在所述白光LED倒装芯片（50）上方固定设有一非透明灯罩；在所述陶瓷散热基座（60）的另一面设有向外突出的散热鳍片（61），所述散热鳍片（61）也为陶瓷材质，其特征在于：所述白光LED倒装芯片（13）层结构依次包括衬底（1）、缓冲层（2）、N型层（3）、N型分别限制层（4）、发光区层（5）、P型分别限制层（6）、P型层（7）、P型欧姆接触层（8）、光穿透层（9）、二氧化硅层（10）、金属层（11），在衬底（1）表面涂敷一层纳米荧光粉层（28），所述衬底（1）与所述缓冲层（2）通过凹凸面（12）结构过渡；该芯片蚀刻成梯台结构并形成环状N型电极和柱形P型电极，柱形P型电极被环状N型电极包围，所述环状N型电极和所述柱形P型电极与PCB板连接的焊锡面处于同一水平面高度；所述环状N型电极和所述P型电极通过各自的PCB板与散热结构（26）连接。

2.根据权利要求1所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：N型电极主要包括N型电极光穿透层ITO薄膜（191）和N型电极金属合金层（23），其中N型电极光穿透层ITO薄膜（191）为阶梯结构，阶梯结构下部与芯片的N型层（3）暴露区连接；阶梯结构上部与N型电极金属合金层（23）、金属层（11）以及绝缘介质膜（16）连接，其中N型电极金属合金层（23）位于阶梯结构上部的上方，金属层（11）和绝缘介质膜（16）位于阶梯结构上部的下方；P型电极主要包括P型电极金属合金层（24）和P型电极光穿透层ITO薄膜（192），P型电极光穿透层ITO薄膜（192）上方与P型电极金属合金层（24）连接，P型电极光穿透层ITO薄膜（192）四周向下延伸至光穿透层（9）并且将下方的金属层（11）和二氧化硅层（10）限制于其中；N型电极金属合金层（23）与P型电极金属合金层（24）位于同一水平面。

3.根据权利要求2所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：所述绝缘介质膜（16）与阶梯结构的中间部分和下部相平行，起到隔离N型电极光穿透层ITO薄膜（191）的作用。

4.根据权利要求1所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：在所述衬底（1）上通过刻蚀形成多个附着孔（27），纳米荧光粉层（28）通过所述多个附着孔（27）粘附在所述衬底（1）表面。

5.根据权利要求4所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：所述散热鳍片（61）为圆柱状的散热凸块。

6.根据权利要求4所述使用陶瓷散热的高功率LED灯具，其特征在于：所述散热鳍片（61）为方块状的散热凸块。