[发明专利]有机发光显示设备及其制造方法

说明书

相关专利申请的交叉引用

本申请要求于2013年5月15日提交至韩国知识产权局的第10-2013-0055279号韩国专利申请的优先权，该专利申请的全部公开通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及显示设备，尤其涉及有机发光显示设备及其制造方法。背景技术

诸如有机发光显示装置、液晶显示（LCD）装置等平板显示装置通常在形成有包括薄膜晶体管（TFT）、电容器和用于连接TFT和电容器的接线的图案的衬底上进行制造。TFT包括栅电极和有源层。有源层包括沟道区、源极区以及漏极区。栅极区形成在沟道区之上。栅电极通过设置在栅电极与有源层之间的栅极绝缘层与有源层绝缘。

TFT的有源层由包括非晶硅或多晶硅的半导体材料形成。当有源层由非晶硅形成时，迁移率减小，使得难以生产高速运行的驱动电路。当有源层由多晶硅形成时，迁移率增加，但是阈值电压不均匀，从而需要设置单独的补偿电路。使用低温多晶硅（LTPS）制造TFT的传统方法通常包括十分昂贵的处理，诸如激光热处理等。使用LTPS制造TFT的传统方法因此需要高投资成本和管理成本并且不易被应用至大型衬底。

氧化物半导体可用于形成有源层。当使用氧化物半导体的有机发光显示设备具有底部栅极结构时，需要至少七次掩模处理来实现顶部发光。由于在创造大型面板时需要低阻抗接线和无机平坦化层，故可能需要七次或更多次掩模处理。

发明内容

本发明提供具有低阻抗接线的有机发光显示设备，以及利用减少数量的掩模制造有机发光显示设备的方法。

根据本发明的一个方面，提供了一种有机发光显示设备，该设备包括衬底。电容器形成设置在衬底上。电容器包括第一下部电极、第二下部电极、上部电极、设置在第一下部电极与第二下部电极之间的第一绝缘层、以及设置在第二下部电极与上部电极之间的第二绝缘层。薄膜晶体管（TFT）包括栅电极、有源层、源电极和漏电极，栅电极形成在与第一下部电极相同的层上，源电极和漏电极形成在与上部电极相同的层上。接线使用与第二下部电极相同的材料形成在与第二下部电极相同的层上。

第二下部电极的厚度可等于或大于栅电极或第一下部电极的厚度。

第一绝缘层可包括包含金属氧化物的金属氧化物层以及包括绝缘材料的保护层。

位于栅电极与有源层之间的绝缘层可被形成为第二绝缘层的一部分。

有源层可包括氧化物半导体。

有机发光显示设备还可包括与薄膜晶体管连接的像素电极，形成在像素电极上的中间层、以及形成在中间层上的相对电极。

第二下部电极可包括Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti或IZO-C-GZO。

第二绝缘层与上部电极之间还可形成有半导体层。

根据本发明的另一个方面，电容器包括第一下部电极。第二下部电极的厚度可等于或大于第一下部电极的厚度。第一绝缘层使第一下部电极与第二下部电极绝缘。第一绝缘层包括金属氧化物层。电容器还包括上部电极。第二绝缘层使第二下部电极与第一绝缘层绝缘。

根据本发明的另一个方面，提供了制造有机发光显示设备的方法。该方法包括：第一掩模处理，包括在衬底上形成第一下部电极、第一绝缘层以及第二下部电极，第二下部电极的厚度大于第一下部电极的厚度。第二掩模处理包括在第二下部电极上形成栅极绝缘层和半导体层。通过图案化半导体层来形成有源层。第三掩模处理包括形成暴露有源层的边缘的孔、以及形成覆盖第二下部电极的蚀刻停止层。第四掩模处理包括在蚀刻停止层上形成上部电极。

当在第一掩模处理中形成第二下部电极时，有机发光显示设备的接线也可被形成。

第一绝缘层可包括金属氧化物层和包括SiO₂或SiNx的辅助层。

辅助层可使用等离子增强化学气相沉积（PECVD）方法、常压化学气相沉积（APCVD）方法、或低压化学气相沉积（LPCVD）方法进行沉积。

第二下部电极可包括Mo-Al-Mo、Ti-Cu、Ti-Cu-Ti、或IZO-C-GZO。

半导体层可包括氧化物半导体。

第一掩模处理可包括在与第一下部电极相同的层上形成栅电极。

第四掩模处理可包括在与上部电极相同的层上形成源电极和漏电极。源电极和漏电极与有源层接触。

在第四掩模处理之后，该方法还可包括：第五掩模处理，包括形成绝缘层，绝缘层覆盖源电极、漏电极和上部电极并包括用于暴露源电极和漏电极之一的通孔。第六掩模处理包括在绝缘层上形成像素电极。像素电极通过通孔连接至源电极和漏电极。