[发明专利]铝金属工艺接触孔的填充方法有效
| 申请号： | 201410157968.5 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104253087B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘善善 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属工艺 接触 填充 方法 | ||
1.一种铝金属工艺接触孔的填充方法，其特征在于，包括步骤：
1)在硅基板上，进行接触孔的刻蚀；
2）第一层阻挡层的填充；
3）在第一层阻挡层表面上，采用溅射温度10～300℃、溅射功率10～15kw的溅射方法进行第一金属铝层填充；
4）在接触孔内，采用溅射温度350～450℃、溅射功率0.5～2kw的溅射方法进行第二金属铝层填充；
5）在第一金属铝层和第二金属铝层表面上，采用溅射温度350～450℃、溅射功率10～15kw的溅射方法进行第三金属铝层填充；
6）在第三金属铝层上，形成第二层阻挡层；
7）金属铝线图形刻蚀。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤2）中，第一层阻挡层的材质包括：TiN；
第一层阻挡层的厚度为15～80nm；
第一层阻挡层的填充方法包括：采用物理溅射成膜的方法，其中，溅射温度为10～500℃，压力为1～10torr。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤3）中，第一金属铝层的材质为铜含量0.01～5%的铝层；
第一金属铝层的厚度为10～400埃；
溅射方法是物理溅射成膜的方法，其中，溅射方法中的压力为1～10torr。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤4）中，第二金属铝层的材质为铜含量0.01～5%的铝层；
第二金属铝层的厚度为100～600埃；
溅射方法是物理溅射成膜的方法，其中，溅射方法中的压力为1～10torr。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤5）中，第三金属铝层的材质为铜含量0.01～5%的铝层；
第三金属铝层的厚度为100～600埃；
溅射方法是物理溅射成膜的方法，其中，溅射方法中的压力为1～10torr。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤6）中，第二层阻挡层的材质包括：Ti层与TiN层的复合层，其中，TiN层在Ti层的上方。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述第二层阻挡层的形成方法包括：
I、采用物理溅射成膜的方法，在第三金属铝层上形成Ti层；其中，溅射温度为10～500℃，压力为1～10torr；Ti层的厚度为10～30nm；
II、采用物理溅射成膜的方法，在Ti层上形成TiN层；其中，溅射温度为10～500℃，压力为1～10torr；TiN层的厚度为15～80nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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