[发明专利]一种半导体晶片的抛光倒角方法

说明书

技术领域

本发明涉及红外焦平面探测技术领域，尤其涉及一种半导体晶片的抛光倒角方法。

背景技术

随着红外焦平面探测器越来越广泛的应用在军事民用的各个领域，对红外焦平面探测器器件的需求也越来越迫切。而生产成本低、性能高、稳定性好的红外焦平面探测器器件的需求越来越大，但是目前的红外焦平面探测器所用的半导体晶片材料经过划片后，晶片边缘处易于崩边掉渣。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种半导体晶片的抛光倒角方法，用以解决现有技术中红外焦平面探测器所用的半导体晶片材料经过划片后，晶片边缘处易于崩边掉渣的问题。

本发明主要是通过以下技术方案实现的：

一种半导体晶片的抛光倒角方法，包括：

步骤A：将半导体晶片的正面涂覆光刻胶；

步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器上；

步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘上抛光倒角，使所述半导体晶片的正面与侧面的连接处形成预定弧度的倒角面。

优选地，在所述半导体晶片正面涂覆光刻胶的厚度超过所述半导体晶片正面上的铟柱的高度。

优选地，所述厚度为20-100微米。

优选地，所述倒角面的预定弧度为45-75度。

本发明提供的一种半导体晶片的抛光倒角方法，依照本发明将半导体晶片的正面与侧面的交界处抛光为一定的弧度面，经过该方法处理后的半导体晶片，实现了半导体晶片边缘光亮、圆滑，无掉渣、崩边现象。从而达到降低生产红外焦平面探测器器件的成本、提高其性能和稳定性。

本发明的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分的从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明

图1为本发明实施例的倒角配合的结构示意图；

图2为本发明实施例处理后得到的半导体晶片的结构示意图。

图3为本发明实施例的倒角器与晶片粘接的侧视图；

图4为本发明实施例的倒角器与晶片粘接的俯视图。

具体实施方式

下面结合附图来具体描述本发明的优选实施例，其中，附图构成本申请一部分，并与本发明的实施例一起用于阐释本发明的原理。为了清楚和简化目的，当其可能使本发明的主题模糊不清时，将省略本文所描述的器件中已知功能和结构的详细具体说明。

本发明实施例设计了一种半导体晶片的抛光倒角方法，包括：

步骤A：将半导体晶片2的正面涂覆光刻胶1；

本发明实施例中在所述半导体晶片正面涂覆光刻胶的厚度超过所述半导体晶片正面上的铟柱的高度。

通过在半导体晶片的正面涂覆光刻胶，从而有效保护了晶片表面的铟柱在抛光过程中不损伤，也有效避免了抛光中的杂质落在铟柱上。

本发明实施例的半导体晶片正面涂覆光刻胶的厚度为20-100微米。宗旨是超过铟柱的高度一定范围。

步骤B：将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片粘接到倒角器3上，具体参见图3和图4。

具体为，将涂覆光刻胶后的所述半导体晶片的背面粘接到倒角器上，通过倒角器达到所需倒角的角度，参见图2。

本发明实施例的所述倒角面的预定弧度为45-75度。本发明将抛光面设置在靠近半导体晶面的侧面的一侧，以尽可能的保护正面的铟柱不受损伤。

步骤C：将所述粘好半导体晶片的倒角器放到抛光盘4上抛光倒角，使所述半导体晶片的正面与侧面的连接处形成预定弧度的倒角面。倒角面光亮、圆滑、无掉渣、崩边的现象，具体参见图1。

在抛光盘上抛光可获得光亮、圆滑的倒角表面。从而达到降低生产红外焦平面探测器器件的成本、提高其性能和稳定性的目的。

本发明提供的一种半导体晶片的抛光倒角方法，依照本发明将半导体晶片的正面与侧面的交界处抛光为一定的弧度面，经过该方法处理后的半导体晶片，实现了半导体晶片边缘光亮、圆滑，无掉渣、崩边现象。从而达到降低生产红外焦平面探测器器件的成本、提高其性能和稳定性。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。