[发明专利]一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高光电性能三氧化钨薄膜的制备方法，其特征在于，将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液，再依次在所得钨酸盐溶液中加入盐酸和固体杂多酸，搅拌至无沉淀产生，形成前驱体混合液；在所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂，以FTO基底为载体，通过水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体后，将沉积了三氧化钨的FTO基底进行煅烧，即在FTO基底上制得三氧化钨薄膜；

所述杂多酸的加入量是钨酸盐摩尔量的5%～35%；

所述的杂多酸为磷钨酸、磷钼酸、硅钨酸中的一种或几种。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，水热法在FTO基底上沉积三氧化钨晶体是在高压反应釜中进行，控制温度为80～300℃，反应5～36h。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，控制温度为100～180℃，反应10～24h。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的煅烧是在400～600℃下保温0.5～4h。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述的钨酸盐为钨酸钠、钨酸钾、钨酸锂或钨酸铵。

6.如权利要求1～5任一项所述的制备方法，其特征在于，将钨酸盐溶于水配成钨酸盐溶液，在所得钨酸盐溶液中先加入过量盐酸酸化，再加入钨酸盐摩尔量5%～35%的磷钨酸、磷钼酸或硅钨酸中的一种或几种杂多酸，搅拌至无沉淀产生，得到前驱体混合液；所得前驱体混合液中加入草酸铵作为结构导向剂，继续搅拌0.5～2h后，转移至放置有FTO基底的高压反应釜中，控制温度在100～180℃下，反应10～24h，自然冷却至室温，将负载了三氧化钨晶体的FTO基底取出，在马弗炉中以400～600℃高温煅烧0.5～4h，在FTO基底得到三氧化钨薄膜。