[发明专利]强酸集中供液系统有效
| 申请号： | 201410159200.1 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN103939739B | 公开（公告）日： | 2017-01-11 |
| 发明（设计）人： | 王广军;刘亚伟;刘付炯;杨庆杰 | 申请（专利权）人： | 无锡尚德太阳能电力有限公司;洛阳尚德太阳能电力有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;F17D1/08 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 曹祖良,刘海 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 强酸 集中 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种强酸集中供液系统，包括储酸罐（5），储酸罐（5）中插入出液管（4），出液管（4）的管口插入储酸罐（5）的槽底，出液管（4）与泵（2）的进口连接，泵（2）的出口端的管道与回液管（3）连接，回液管（3）与储酸槽（5）之间密封，回液管（3）插入储酸槽（5）中；其特征是：在所述回液管（3）上连接进气管（8），进气管（8）的进气端连接单向阀（7）和过滤器（6）。
2.如权利要求1所述的强酸集中供液系统，其特征是：所述出液管（4）伸入储酸槽（5）中的长度比储酸槽（5）的高度长6～10mm，出液管（4）伸入储酸槽（5）中的部分呈弧形，出液管（4）的管口抵住储酸槽（5）的槽底。
3.如权利要求1所述的强酸集中供液系统，其特征是：在所述出液管（4）的管口设置多个缺口（1）。
4.如权利要求3所述的强酸集中供液系统，其特征是：所述缺口（1）为半圆形、锯齿形或矩形，缺口（1）的高度为出液管（4）半径的一半。
5.如权利要求1所述的强酸集中供液系统，其特征是：所述回液管（3）的管口位于储酸槽（5）的液面以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
