[发明专利]一种电容式硅微型麦克风及其制作方法

权利要求书

1.一种电容式硅微型麦克风，包括衬底、背板以及支撑结构，其特征在于：

所述衬底上设有隧穿层，所述隧穿层上设有介质层，所述介质层作为存储层，所述存储层上设有阻挡层；

在所述衬底正中下方位置开设有一空腔，位于所述空腔正上方的衬底、隧穿层、存储层以及阻挡层共同构成一振膜；其中，采用氮化硅层作为存储层，使得存储在存储层中的电荷不能自由移动；

所述背板设在所述振膜上方，所述背板设有通孔；所述背板和所述振膜之间通过支撑结构连接，并在所述振膜正上方形成一间隙，在衬底部分的存储层中存储电荷，通过振膜的振动，使得衬底与背板间的间距发生改变从而实现声-电转换。

2. 根据权利要求1 所述的电容式硅微型麦克风，其特征在于：所述衬底为N 型掺杂硅衬底，所述隧穿层为二氧化硅层，所述阻挡层为二氧化硅层。

3. 根据权利要求1 所述的电容式硅微型麦克风，其特征在于：所述背板材料为低阻多晶硅。

4. 根据权利要求1 所述的电容式硅微型麦克风，其特征在于：所述支撑结构材料为氧化铝。

5. 一种制作权利要求1 所述的电容式硅微型麦克风的方法，其特征在于：步骤如下：

（1）选用硅作为衬底，在所述衬底正面热生长二氧化硅作为隧穿层，同时在所述衬底背面热生长二氧化硅层；

（2）刻蚀所述衬底背面的二氧化硅，以二氧化硅做掩膜使用TMAH 试剂对硅衬底进行PN结电化学自停止湿法刻蚀，形成空腔；

（3）在所述隧穿层上沉积氮化硅作为存储层，在所述存储层上沉积二氧化硅作为阻挡层，在所述阻挡层上沉积氮化钛作为电极，在所述电极上沉积氧化铝作为支撑结构，在所述支撑结构上沉积低阻多晶硅作为背板；

（4）刻蚀所述背板，在其上形成通孔；

（5）使用氨水透过所述通孔刻蚀所述空腔正上方的所述支撑结构，形成间隙，并使所述电极露出表面；

（6）在所述电极和所述衬底间加电压，所述存储层进行电荷存储；

（7）刻蚀并去除所述空腔正上方的所述电极。