[发明专利]类单晶硅锭制备方法及切割制备类单晶硅片方法在审
| 申请号： | 201410160053.X | 申请日： | 2014-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN103952754A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 何亮;陈红荣;胡动力;雷琦 | 申请（专利权）人： | 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B11/14;B28D5/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 338000 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 方法 切割 | ||
1.一种类单晶硅锭制备方法，其特征在于，至少包括以下步骤：
在坩埚底部铺设单晶硅籽晶，形成籽晶层，所述单晶硅籽晶为<110>晶相；
在所述籽晶层上方设置熔融状态的硅料，并控制所述籽晶层不被完全融化；以及
控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶层上沿<110>晶向结晶生长，制备得到类单晶硅锭。
2.根据权利要求1所述的类单晶硅锭制备方法，其特征在于，所述单晶硅籽晶的制备至少包括如下步骤：
提供<100>单晶硅棒，所述<100>单晶硅棒具有{100}晶面；
将所述<100>单晶硅棒以垂直于所述{100}晶面的棱线为轴旋转45o；及
沿<100>晶向将所述<100>单晶硅棒切割成预设的形状和尺寸，获得单晶硅籽晶。
3.根据权利要求1所述的类单晶硅锭制备方法，其特征在于，所述单晶硅籽晶具有{110}晶面和{100}晶面，且所述{110}晶面垂直于所述{100}晶面，在所述在坩埚底部铺设所述单晶硅籽晶时，所述单晶硅籽晶的{100}晶面朝向所述坩埚侧壁。
4.根据权利要求3所述的类单晶硅锭制备方法，其特征在于，所述单晶硅籽晶的{110}晶面的尺寸为100mm～1120mm。
5.根据权利要求1所述的类单晶硅锭制备方法，其特征在于，所述单晶硅籽晶的厚度为5mm～30mm。
6.一种由权利要求1制备得到的类单晶硅锭切割制备类单晶硅片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将所述类单晶硅锭沿平行于<110>晶向进行开方，得到类单晶硅块；及
将所述类单晶硅块沿平行于{100}晶面方向进行切割，得到类单晶硅片，所述类单晶硅片为<100>晶相。
7.根据权利要求6所述的切割制备类单晶硅片的方法，其特征在于，在将所述类单晶硅块沿平行于{100}晶面方向进行切割之前，还包括去除所述类单晶硅块的红区。
8.一种由权利要求1制备得到的类单晶硅锭切割制备类单晶硅片的方法，其特征在于，包括以下步骤：
将所述类单晶硅锭沿垂直于<110>晶向进行开方，得到类单晶硅块；及
将所述类单晶硅块沿平行于{100}晶面方向进行切割，得到类单晶硅片，所述类单晶硅片为<100>晶相。
9.根据权利要求8所述的切割制备类单晶硅片的方法，其特征在于，在将所述类单晶硅块沿平行于{100}晶面方向进行切割之前，还包括去除所述类单晶硅块的红区。
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