[发明专利]低压直流负载过载测控电路有效

专利信息
申请号: 201410160375.4 申请日: 2014-04-21
公开(公告)号: CN103956708A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: 陈德传;陈亚龙;郑忠杰;李明星 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: H02H3/087 分类号: H02H3/087
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 低压 直流 负载 过载 测控 电路
【权利要求书】:

1.低压直流负载过载测控电路,包括测控主电路和过载判别电路,其特征在于:

测控主电路包括驱动器DR、电感L1、二极管D1、直流负载DL、电源灯LED1、输出灯LED2、稳压管DW1、限压管DW2、晶闸管VT1、MOS管VT2、稳压电容C1、稳压电阻R1、阳极电阻R2、栅极电阻R3、输出电阻R4、门极电阻R5、分压电阻R6,驱动器DR的正输出端+E端与电感L1的一端、二极管D1的阴极、电源灯LED1的阳极、阳极电阻R2的一端、栅极电阻R3的一端、输出灯LED2的阳极连接,驱动器DR的负输出端-E端接地,电源灯LED1的阴极与稳压电阻R1的一端连接,稳压电阻R1的另一端与稳压管DW1的阴极、稳压电容C1的一端、上拉电阻R7的一端、基准电阻R8的一端、比较器IC1的正电源端V+端连接,稳压管DW1的阳极、稳压电容C1的另一端均接地,阳极电阻R2的另一端与晶闸管VT1的阳极、限压管DW2的阴极、栅极电阻R3的另一端、MOS管VT2的栅极端G端连接,晶闸管VT1的门极与门极电阻R5的一端、分压电阻R6的一端连接,晶闸管VT1的阴极、门极电阻R5的另一端、限压管DW2的阳极及MOS管VT2的源极端S端均接地,MOS管VT2的漏极端D端与输出电阻R4的一端、直流负载DL的负端-IN端、检测电阻R11的一端连接,输出电阻R4的另一端与输出灯LED2的阴极连接,直流负载DL的正端+IN端与电感L1的另一端、二极管D1的阳极连接;

过载判别电路包括比较器IC1、上拉电阻R7、基准电阻R8、设定电阻R9、滤波电阻R10、检测电阻R11、滤波电容C2、设定电容C3,比较器IC1的地端GND端接地,比较器IC1的正输入端IN+端与检测电阻R11的另一端、滤波电阻R10的一端、滤波电容C2的一端连接,滤波电阻R10的另一端、滤波电容C2的另一端均接地,比较器IC1的负输入端IN-端与基准电阻R8的另一端、设定电阻R9的一端、设定电容C3的一端连接,设定电阻R9的另一端、设定电容C3的另一端均接地,比较器IC1的输出端OUT端与分压电阻R6的另一端、上拉电阻R7的另一端连接。

2.如权利要求1所述的低压直流负载过载测控电路,其特征在于:所述的晶闸管VT1、MOS管VT2、比较器IC1、稳压管DW1、限压管DW2、电源灯LED1、输出灯LED2均采用现有的成熟产品,能够通过市场取得,所述的晶闸管VT1采用KP1-2,MOS管VT2采用IRF系列N沟道MOSFET管,比较器IC1采用高速电压比较器LMV7239,稳压管DW1采用BZX84-B5V1,限压管DW2采用IN4746A,电源灯LED1、输出灯LED2均采用3-5mm发光二极管。

3.如权利要求1所述的低压直流负载过载测控电路,其特征在于:所述的驱动器DR输出的驱动电压Ud范围为+10V~+100V,基准电阻R8、设定电阻R9、滤波电阻R10、检测电阻R11间的参数配合关系如式(1)、式(2)所示,滤波电容C2、设定电容C3间的参数配合关系如式(3)所示,其中,UW为稳压管DW1的稳压电压(V),Ui为MOS管VT2导通时的电流检测信号(V)、Uir为电流阈值设定信号(V)、Ron为MOS管VT2导通电阻(Ω)、Iom为过载与短路保护的最大阈值电流(A);

R10R10+R11Ui=R9R8+R9UW=Uir---(1)]]>

Ui=RonIom     (2)

R10×R11R10+R11C2=R8×R9R8+R9C3---(3).]]>

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