[发明专利]有机发光显示装置和透明有机发光显示装置在审
申请号: | 201410160543.X | 申请日: | 2014-04-21 |
公开(公告)号: | CN104377220A | 公开(公告)日: | 2015-02-25 |
发明(设计)人: | 刘在镐;金明任;朴昇元;谢磊;李文圭;李水美 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;谭昌驰 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 透明 | ||
1.一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:
第一发射部,包括第一中间层、被设置在第一中间层的第一表面上并透射从第一中间层发射的光的第一电极以及设置在第一中间层的第二表面上并透射从第一中间层发射的光的第二电极,第一中间层的第二表面面对第一中间层的第一表面,第一发射部被构造成发射第一颜色的光;以及
光学构件,被设置在第一发射部的第一表面上并选择性地反射包括至少第一颜色的特定颜色的光。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:
第二发射部,与第一发射部相邻地设置,不与第一发射部叠置,第二发射部包括第二中间层,第二发射部被构造为发射第二颜色的光;以及
第三发射部,与第二发射部相邻地设置,不与第一发射部和第二发射部叠置,第三发射部包括第三中间层,第三发射部被构造为发射第三颜色的光,
其中,光学构件从第一发射部延伸到第二发射部和第三发射部,并选择性地反射第一颜色的光、第二颜色的光和第三颜色的光。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,第一电极包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓或氧化铝锌作为透射从第一发射部发射的光的材料,并且
第二电极包括镁薄膜、银薄膜或者Mg:Ag薄膜作为透射从第一发射部发射的光的材料。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,在第一电极和光学构件之间设置基底。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,基底设置在第一电极的与设置有第一中间层的表面相反的表面上,并且光学构件设置在第一电极和基底之间。
6.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,薄膜晶体管阵列基底设置在第一电极的与设置有第一中间层的表面相反的表面上,
薄膜晶体管阵列基底包括透明基底和电路部,电路部被设置在透明基底上并包括薄膜晶体管,并且
光学构件被设置在透明基底和电路部之间。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,薄膜晶体管阵列基底设置在第一电极的与设置有第一中间层的表面相反的表面上,并且
光学构件被设置在第二电极的与设置有第一中间层的表面相反的表面上。
8.如权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,光学构件包括第一颜色光反射部、第二颜色光反射部和第三颜色光反射部。
9.如权利要求2所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括分别电连接到第一发射部、第二发射部和第三发射部的第一电路部、第二电路部和第三电路部,
其中,第一电路部、第二电路部和第三电路部都被设置为不与第一发射部、第二发射部和第三发射部中的任一个叠置。
10.如权利要求2所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括分别电连接到第一发射部、第二发射部和第三发射部的第一电路部、第二电路部和第三电路部,
其中,第一电路部、第二电路部和第三电路部被设置为分别与第一发射部、第二发射部和第三发射部叠置。
11.如权利要求2所述的有机发光显示装置,所述有机发光显示装置还包括:
第一透射部,被设置在第一发射部和第二发射部之间,透射外部光;以及
第二透射部,被设置在第二发射部和第三发射部之间,发射外部光。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置,其中,第二电极延伸至与第二发射部、第三发射部、第一透射部和第二透射部对应的区域。
13.如权利要求11所述的有机发光显示装置,其中,第二电极延伸至与第二发射部和第三发射部对应的区域,并且第二电极包括与第一透射部和第二透射部对应的开口。
14.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,光学构件包括交替地并重复地堆叠的高折射率层和低折射率层。
15.如权利要求14所述的有机发光显示装置,其中,高折射率层和低折射率层均具有1.3到2.3的折射率,并且高折射率层和低折射率层之间的折射率的差在0.1到1的范围内。
16.如权利要求14所述的有机发光显示装置,其中,光学构件包括嵌段共聚物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的