[发明专利]一种监控离子注入机稳定性和均匀性的方法有效
| 申请号： | 201410161246.7 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103904009A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 张立;宋皓;赖朝荣;苏俊铭;张旭昇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 监控 离子 注入 稳定性 均匀 方法 | ||
1.一种监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：在待测样本晶圆衬底上进行锗离子注入，以在所述晶圆表面形成锗非晶化阻挡层；
步骤二：将步骤一中得到的具有锗非晶化阻挡层的晶圆放入需要监控的离子注入机，进行常规的离子注入工艺，利用所述晶圆形成的锗非晶化阻挡层，降低离子的注入深度；
步骤三：对步骤二中注入完成的晶圆进行高温退火，以在所述晶圆表面形成掺杂的硅锗合金；
步骤四：对步骤三中得到的形成掺杂的硅锗合金的所述晶圆，利用其具有的良好导电性能，采用四探针测试仪量测所述晶圆注入层的方块电阻；
步骤五：根据方块电阻的量测值结果，对离子注入机的稳定性和均匀性进行判断，从而实现对需要监控的离子注入机的监控管理。
2.如权利要求1所述的监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，步骤一中，采用与需要监控的离子注入机同型的离子注入标准机台进行锗离子注入。
3.如权利要求1所述的监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，步骤一中，所述锗离子注入采用常规的锗离子注入工艺。
4.如权利要求1、2或3所述的监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，步骤一中，所述锗离子注入时的能量为10～50keV。
5.如权利要求1、2或3所述的监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，步骤一中，所述锗离子注入时的剂量为1E15～5E15atom/cm2。
6.如权利要求1所述的监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，步骤一中，所述晶圆表面形成的锗非晶化阻挡层的厚度为20nm～200nm。
7.如权利要求1所述的监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，步骤三中，对步骤二中注入完成的晶圆采用快速热处理工艺进行高温退火。
8.如权利要求7所述的监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，所述快速热处理工艺的温度为950～1100℃。
9.如权利要求7所述的监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，所述快速热处理工艺的时间为20～40s。
10.如权利要求7所述的监控离子注入机稳定性和均匀性的方法，其特征在于，所述快速热处理工艺采用N2作为保护气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
