[发明专利]一种小尺寸图形的制作方法在审
| 申请号： | 201410161249.0 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103903972A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 崇二敏;黄君 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 图形 制作方法 | ||
1.一种小尺寸图形的制作方法，其特征在于，包括：
步骤S01：依次在晶圆表面沉积多晶硅层、无定形碳膜、硬质掩膜层、底部抗反射层和光刻胶；
步骤S02：采用光刻和等离子体刻蚀工艺，依次刻蚀所述光刻胶、所述底部抗反射层、所述硬质掩膜层和所述无定形碳膜，在所述无定形碳膜中形成大尺寸图形；
步骤S03：在所述无定形碳膜表面和所述晶圆表面沉积一层氧化硅层；
步骤S04：采用等离子体刻蚀工艺，刻蚀掉所述无定形碳膜顶部和底部的所述氧化硅层，形成氧化硅侧墙；
步骤S05：去除所述无定形碳膜，从而形成第一小尺寸图形；
步骤S06：在所述晶圆表面沉积一层氮化硅层；
步骤S07：采用等离子体刻蚀工艺，刻蚀去除掉所述氧化硅侧墙顶部和底部的所述氮化硅层，在所述氧化硅侧墙的侧壁形成氮化硅侧墙；
步骤S08：采用湿法刻蚀工艺，去除所述氧化硅侧墙，从而形成第二小尺寸图形。
2.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述步骤S06中，采用原子层沉积方法沉积所述氮化硅层。
3.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度小于10nm。
4.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述步骤S07中，所采用的反应压强为5-15mTorr，所采用的反应温度为30-60℃，所采用的刻蚀时间为10-30秒，所采用的上电极射频功率为500-1000瓦特。
5.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所采用的刻蚀气体为含氟气体。
6.根据权利要求5所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述含氟气体为包含CF4、CHF3和CH2F2的混合气体。
7.根据权利要求6所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述含氟气体中，所述CF4的流量为50-100sccm，所述CHF3的流量为10-30sccm，所述CH2F2的流量为10-30sccm。
8.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述步骤S08中，所采用的湿法刻蚀药液为氢氟酸溶液。
9.根据权利要求8所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，所述步骤S08中，所述氢氟酸溶液中，H2O与49%的HF的比例为100:1至300:1。
10.根据权利要求1所述的小尺寸图形的制作方法，其特征在于，采用含有SO2和O2的刻蚀气体刻蚀所述无定形碳膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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