[发明专利]栅氧化层的制备方法在审
| 申请号： | 201410162783.3 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943480A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张红伟 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 制备 方法 | ||
1.一种栅氧化层的制备方法，其特征在于，包括
S1：对一基底执行氧化工艺以形成栅氧化层，在所述氧化工艺的反应气体中包括惰性气体；
S2：在惰性气体环境中对所述基底进行高温处理；
S3：对所述栅氧化层进行氮掺杂；
S4：采用高温退火工艺稳定所述栅氧化层的氮掺杂并修复其等离子体损伤。
2.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，步骤S1中氧化工艺采用ISSG工艺。
3.如权利要求2所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述ISSG工艺的反应气体为N2O和H2。
4.如权利要求2所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于，所述ISSG工艺的反应气体为O2和H2。
5.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于：所述惰性气体为Ar，其流量为5slm-50slm，所述惰性气体的物质的量为其余反应气体的一半至3倍。
6.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于：所述高温氮化处理的温度范围为1000摄氏度到1100摄氏度，处理时间为5秒到120秒。
7.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤S3中的氮掺杂采用等离子体氮化技术。
8.如权利要求7所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于：所述等离子体氮化技术为去耦等离子体氮化或远程等离子体氮化。
9.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤S4中的高温退火工艺的温度范围为1000摄氏度到1100摄氏度，时间为5秒到120秒。
10.如权利要求1所述的栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤S4中的高温退火工艺的气体包含N2或者O2或者N2与O2的混合气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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