[发明专利]一种低膨胀磁屏蔽合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201410162936.4 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103924153A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 朱弢;杨锋;张建福;张敬霖;卢凤双;张建生;于一鹏;朱熠 | 申请（专利权）人： | 钢铁研究总院 |
| 主分类号： | C22C38/10 | 分类号： | C22C38/10;C22C38/16;C21D1/74;C21D6/00 |
| 代理公司： | 北京中安信知识产权代理事务所(普通合伙) 11248 | 代理人： | 张小娟 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 膨胀 屏蔽 合金 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于光纤环圈骨架的低膨胀磁屏蔽合金，其特征在于：
该合金的化学成分按重量％为：Ni32.0～35.2，Co3.0～3.5，Mn0.10～0.25，Si≤0.15，Cu≤0.02，C≤0.01，P≤0.01，S≤0.01，余量为Fe；
该低膨胀磁屏蔽合金通过如下步骤制备：高纯度原料准备→成分配比→真空感应炉冶炼和真空自耗重熔→锻造加工→取样→热处理→性能测试。
2.如权利要求1所述的低膨胀磁屏蔽合金，其特征在于：
所述热处理制度为：高纯氢气保护，随炉升温至970±10℃，保温2.5～3h，以200～250℃/h降温至550±10℃，快冷至300℃以下出炉。
3.如权利要求1所述的低膨胀磁屏蔽合金，其特征在于：
该合金的化学成分按重量％为：Ni32.09～35.19，Co3.01～3.43，Mn0.13～0.21，Si0.015～0.150，Cu0.0052～0.0140，C0.0022～0.0044，P0.0030～0.0055，S0.0030～0.0040，余量为Fe。
4.如权利要求1所述的低膨胀磁屏蔽合金，其特征在于：
该合金在-45～+75℃温度范围内，具有以下低膨胀性能和磁屏蔽性能的组合：膨胀系数≤1.0×10-6/℃，初始磁导率≥1.5mH/m。
5.如权利要求1所述的低膨胀磁屏蔽合金，其特征在于：
所述高纯度原料为纯度大于99.0％的原材料。
6.一种用于如权利要求1所述的光纤环圈骨架的低膨胀磁屏蔽合金的制备方法，其特征在于：
该合金的化学成分按重量％为：Ni32.0～35.2，Co3.0～3.5，Mn0.10～0.25，Si≤0.15，Cu≤0.02，C≤0.01，P≤0.01，S≤0.01，余量为Fe；
该低膨胀磁屏蔽合金通过如下步骤制备：高纯度原料准备→成分配比→真空感应炉冶炼和真空自耗重熔→锻造加工→取样→热处理→性能测试。
7.如权利要求6所述的低膨胀磁屏蔽合金的制备方法，其特征在于：
在真空感应冶炼和真空自耗重炉熔炼合金中，真空度大于0.2Pa。
8.如权利要求6所述的低膨胀磁屏蔽合金的制备方法，其特征在于：
热处理制度为：高纯氢气保护，随炉升温至970±10℃，保温2.5～3h，以200～250℃/h降温至550±10℃，快冷至300℃以下出炉。
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