[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法有效
申请号: | 201410163006.0 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN103972242A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 李卿硕 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L23/538;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 制作方法 | ||
1.一种阵列基板,包括多个栅极焊垫,其特征在于,每一个所述栅极焊垫包括:位于衬底基板之上的栅极层,位于所述栅极层之上的栅极绝缘层,位于所述栅极绝缘层之上的第一透明导电层,位于所述第一透明导电层之上的钝化层,以及位于所述钝化层之上的第二透明导电层,其中,
所述栅极层包括栅极焊接区域;所述栅极绝缘层开设有位于所述栅极焊接区域上方的至少一个第一过孔;所述第一透明导电层通过每一个第一过孔与所述栅极焊接区域导电接触;所述钝化层开设有至少一个第二过孔,所述第二透明导电层通过每一个第二过孔与所述第一透明导电层导电接触。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅极焊垫为集成电路的栅极焊垫,所述集成电路的栅极焊垫还包括位于所述第一透明导电层与所述钝化层之间且包括位于所述栅极焊接区域上方的源漏极的源漏极层,所述至少一个第二过孔未露出所述源漏极层。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,还包括多个源漏极焊垫,每一个所述源漏极焊垫包括:位于所述栅极绝缘层之上的第一透明导电层,位于所述第一透明导电层之上的源漏极层,位于所述源漏极层之上的钝化层,以及位于所述钝化层之上的第二透明导电层,其中,
所述源漏极层包括源漏极焊接区域,所述钝化层开设有至少一个未露出所述源漏极层的第三过孔,所述第二透明导电层通过每一个所述第三过孔与所述第一透明导电层导电接触。
4.如权利要求1~3任一所述的阵列基板,其特征在于,所述第一透明导电层包括氧化铟锡层,和/或,所述第二透明导电层包括氧化铟锡层。
5.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~4任一所述的阵列基板。
6.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成包括栅极焊接区域的栅极层的图形;
在所述栅极层的图形之上形成包括位于所述栅极焊接区域上方的至少一个第一过孔的栅极绝缘层的图形;
在所述栅极绝缘层的图形之上形成通过每一个第一过孔与所述栅极焊接区域导电接触的第一透明导电层的图形;
在所述第一透明导电层的图形之上形成包括至少一个第二过孔的钝化层的图形;
在所述钝化层的图形之上形成通过每一个第二过孔与所述第一透明导电层导电接触的第二透明导电层的图形。
7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述第一透明导电层的图形之上形成包括至少一个第二过孔的钝化层的图形,具体包括:
在所述第一透明导电层的图形之上形成包括位于所述集成电路的栅极焊垫的栅极焊接区域上方的源漏极的源漏极层的图形;
在所述源漏极层的图形之上形成包括至少一个第二过孔的钝化层的图形,所述至少一个第二过孔未露出所述源漏极层。
8.如权利要求7所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,
在形成包括位于所述集成电路的栅极焊垫的栅极焊接区域上方的源漏极的源漏极层的图形的同时,还形成源漏极焊接区域的图形;
在形成包括至少一个未露出所述源漏极层的第二过孔的钝化层的图形的同时,还形成至少一个未露出所述源漏极层的第三过孔,所述第二透明导电层通过每一个所述第三过孔与所述第一透明导电层导电接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的