[发明专利]链式通孔结构样品处理方法及失效测试方法有效
申请号: | 201410163436.2 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN103972047A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 唐涌耀;陈强 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/768;G01R31/28 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 链式 结构 样品 处理 方法 失效 测试 | ||
1.一种链式通孔结构样品处理方法,其特征在于,包括:
提供一链式通孔结构初始样品,所述链式通孔结构初始样品包括形成于一介质层中的第一沟槽、第二沟槽以及通孔,形成于所述第一沟槽中的第一铜金属层,形成于所述通孔以及第二沟槽侧壁的钽层,形成于所述通孔中且位于所述钽层上的铜插塞,形成于所述第二沟槽中且位于钽层上的第二铜金属层,所述铜插塞与所述第二铜金属层和第一铜金属层连接;
对所述链式通孔结构初始样品进行研磨,直至暴露所述第二铜金属层;
采用湿法刻蚀工艺去除所述第二铜金属层和所述铜插塞,形成链式通孔结构测试样品。
2.如权利要求1所述的链式通孔结构样品处理方法,其特征在于,所述湿法刻蚀工艺采用的溶液为氨水与过氧化氢的混合液。
3.如权利要求2所述的链式通孔结构样品处理方法,其特征在于,所述氨水与过氧化氢的体积比为1:1~1:1.2。
4.如权利要求1所述的链式通孔结构样品处理方法,其特征在于,所述湿法刻蚀工艺采用的溶液为硝酸。
5.如权利要求4所述的链式通孔结构样品处理方法,其特征在于,所述硝酸的浓度为60~80%。
6.如权利要求1所述的链式通孔结构样品处理方法,其特征在于,所述链式通孔结构初始样品还包括形成于所述通孔以及第二沟槽侧壁的氮化钽层,所述钽层覆盖于所述氮化钽层。
7.如权利要求1所述的链式通孔结构样品处理方法,其特征在于,所述链式通孔结构初始样品还包括与所述第二铜金属层以及所述第一铜金属层电连接的金属焊垫。
8.一种链式通孔结构失效测试方法,其特征在于,使用聚焦离子束显微镜对如权利要求1至7中任意一项所述的链式通孔结构测试样品进行电压对比度测试,以确定所述链式通孔结构测试样品的失效位置。
9.如权利要求7所述的链式通孔结构失效测试方法,其特征在于,将所述链式通孔结构测试样品的一金属焊垫接地,然后使用聚焦离子束显微镜进行电压对比度测试。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造