[发明专利]一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法。

背景技术

由于半导体的前层为多种衬底以及起伏形貌，离子注入层的光刻图形受到该衬底及其形貌的影响，会出现图形尺寸失真，导致线宽变形，且光刻工艺窗口减小，导致产生缺陷，从而降低成品的合格率。而规则式光学临近修正方法，在多种衬底以及起伏形貌时，测试图形数量需要成倍增加来提高图形覆盖率，大幅增加时间及人力成本；而模型式光学临近修正方法无法准确预测复杂前层衬底的情况。目前无论规则式、模型式光学临近修正方法，难以避免预测之外的线宽变形；落在浅沟槽隔离区上的光刻图形边界，当其距离打开区域的前层图形较远时，相比落在或靠近前层图形的情况，光刻胶图形边界尺寸误差更大，更容易露出本应该覆盖的有源区或多晶硅图形，导致缺陷，降低成品合格率。

发明内容

有鉴于此，本发明提出一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法，以解决上述光刻胶图形边界尺寸误差大以致于露出有源区或多晶硅图形，进而导致后续的成品缺陷，降低成品合格率的问题。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其中，包括如下步骤：

提供一光刻版图，所述光刻版图包括一浅层离子注入层的光刻版图图形；

从所述光刻版图图形中找出落在浅沟槽隔离区上的图形边界，且所述图形边界到位于光刻胶打开区域的第一前层图形的距离为第一尺寸，到位于光刻胶覆盖区域的第二前层图形的距离为第二尺寸；

其中，若所述第一尺寸的值小于所述第二尺寸的值，将所述图形边界朝所述第二前层图形的方向移动距离A1，否则，将所述图形边界朝所述第一前层图形的方向移动距离A2，且所述A1的值小于所述第二尺寸的值，所述A2的值小于所述第一尺寸的值。

上述提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其中，根据版图设计规则以及实际工艺需求设定所述A1和A2的值。

上述提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其中，根据实际工艺能力分别设定所述第一尺寸和所述第二尺寸需满足的尺寸要求。

上述提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其中，若所述第一尺寸和所述第二尺寸不能同时满足所述尺寸要求，所述A1、A2的值为0。

上述提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其中，所述第一尺寸和所述第二尺寸的取值范围均为大于10nm。

上述提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其中，所述第一尺寸的取值范围为10-50nm，且所述第二尺寸的取值范围为60-200nm时，所述图形边界往第二前层图形的移动距离A1的取值范围为5-50nm。

上述提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其中，所述第一尺寸的取值范围为60-200nm，且所述第二尺寸的取值范围为10-50nm时，所述图形边界往第一前层图形的移动距离A2的取值范围为5-50nm。

上述提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其中，所述第一前层图形和所述第二前层图形为有源区或多晶硅图形。

上述提高光刻工艺窗口的版图处理方法，其中，浅层离子注入无法打穿所述浅沟槽隔离区。

本发明由于采用了上述技术，产生的积极效果是：

通过本发明的使用，可有效利用浅层离子注入层光刻版图图形中多余的距离空间，达到增加光刻工艺窗口的效果，由于该光刻版图图形仍然满足设计规则，以及浅层离子注入无法打穿浅沟槽隔离区，所以不会对器件产生影响，从而在不影响器件性能的前提下，有效降低了由于光刻图形失真导致缺陷的风险，进而提高了成品合格率。

附图说明

构成本发明的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1ａ为本发明实施例一中的一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法的结构示意图；

图1ｂ为本发明实施例一中的一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法的变化结构示意图；

图2ａ为本发明实施例二中的一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法的结构示意图；

图2ｂ为本发明实施例二中的一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法的变化结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

实施例一：

请结合图1ａ至图2ｂ所示，本发明的一种提高光刻工艺窗口的版图处理方法，包括如下步骤：

提供一光刻版图，且该光刻版图包括一浅层离子注入层的光刻版图图形；