[发明专利]一种浅沟槽结构及浅沟槽填充方法

权利要求书

1.一种浅沟槽结构，其特征在于，包括基底、第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和第二侧壁设于所述基底之上，所述第一侧壁和第二侧壁对称设置并形成浅沟槽，所述浅沟槽包括上部和下部，所述下部临近所述基底，所述上部远离所述基底，形成所述浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的相对于所述基底的斜率小于形成所述浅沟槽下部的部分第一侧壁和部分第二侧壁的斜率。

2.如权利要求1所述的浅沟槽结构，其特征在于，所述浅沟槽的截面呈喇叭形。

3.如权利要求2所述的浅沟槽结构，其特征在于，所述浅沟槽的上部和下部之间还包括中部，形成所述浅沟槽中部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的斜率大于形成所述浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第二侧壁的斜率，并小于形成所述浅沟槽下部的部分第一侧壁和部分第二侧壁的斜率。

4.如权利要求3所述的浅沟槽结构，其特征在于，形成所述浅沟槽的第一侧壁和第一侧壁的斜率在浅沟槽的上部至下部的方向上逐渐增大，所述浅沟槽的截面呈光滑曲面构成的喇叭形。

5.如权利要求2所述的浅沟槽结构，其特征在于，形成所述浅沟槽下部的部分第一侧壁和部分第二侧壁的斜率大于85～88。

6.如权利要求2所述的浅沟槽结构，其特征在于，形成所述浅沟槽上部的部分第一侧壁和部分第一侧壁的斜率小于85～88。

7.如权利要求1所述的浅沟槽结构，其特征在于，所述第一侧壁和第二侧壁的顶部为氮化硅层。

8.一种浅沟槽填充方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，形成如权利要求1至7任一项所述的浅沟槽结构；

步骤2，进行浅沟槽隔绝层淀积；

步骤3，将所述第一侧壁和第二侧壁顶部的氮化硅层移除。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述步骤1中通过干法刻蚀形成浅沟槽结构。