[发明专利]一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法在审

专利信息
申请号: 201410163872.X 申请日: 2014-04-22
公开(公告)号: CN104134617A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 许向辉;何理;郭贤权;陈超 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01N21/956
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 吴俊
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 负光阻桥接 缺陷 扫描 方法
【权利要求书】:

1.一种用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法,其特征在于,包括下述步骤:

步骤1.对负光阻制程芯片进行划分;

步骤2.根据划分区域采用与所述划分区域对应的入射偏振光逐一对所述划分区域进行扫描,并存储扫描区域的缺陷数据;

步骤3.将所述存储扫描区域的缺陷数据整合以获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构。

2.如权利要求1所述用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法,其特征在于,步骤1的具体过程为:

根据所述负光阻制程芯片的横向和纵向电路特征,将所述负光阻制程芯片划分为:横向区域和纵向区域。

3.如权利要求2所述用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法,其特征在于,步骤2中所述入射偏振光包括:纵向的入射偏振光和横向的入射偏振光。

4.如权利要求3所述用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法,其特征在于,步骤2中所述扫描包括:横向扫描和纵向扫描,对所述对负光阻制程芯片进行扫描时采用横向扫描或纵向扫描。

5.如权利要求4所述用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法,其特征在于,步骤2的具体过程为:

对所述横向区域采用与所述横向区域垂直的纵向的入射偏振光对所述区域进行扫描,并存储横向区域的缺陷数据;

对所述纵向区域采用与所述纵向区域垂直的横向的入射偏振光对所述区域进行扫描,并存储纵向区域的缺陷数据。

6.如权利要求5所述用于对负光阻桥接缺陷的扫描方法,其特征在于,步骤3的具体过程为:

将所述横向区域的缺陷数据与所述纵向区域的缺陷数据进行整合获取以获取所述负光阻制程芯片的桥接缺陷扫描结构。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410163872.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top