[发明专利]作为光传感器的MOS晶体管结构

权利要求书

1.一种用于登记光的结构，包括：

MOS晶体管结构(101,201，401，501，601，701)，具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主体区域(107)，其中所述主体区域的掺杂类型不同于所述第一和第二源极/漏极区域的另一掺杂类型，

其中在所述主体区域(107)中，根据照射在主体区域(107)的光(111)而产生电荷载流子，其中所产生的电荷载流子控制从第一源极/漏极区域(103)经过主体区域的至少一部分流向第二源极/漏极区域(105)的电流。

2.根据权利要求1所述的结构，其中即使在MOS晶体管结构(101，201)的主体区域(107,207)和栅极(109,209)之间没有施加电压，仍产生电荷载流子，其中通过隔离层(235)将所述栅极(109,209)与主体区域(207)分隔。

3.根据权利要求1或2所述的结构，其中在所述主体区域(107)和所述第一源极/漏极区域(103)之间建立高阻抗连接(117)，具体地具有大于10MΩ的阻抗，具体地在10MΩ和100GΩ之间。

4.根据前述权利要求之一所述的结构，还包括：

另一MOS晶体管结构(123)，具有另一第一源极/漏极区域(125)、另一第二源极/漏极区域(127)、另一主体区域(129)和另一栅极(131)，其中将所述另一第一源极/漏极区域(125)、另一栅极(131)和另一主体区域(129)彼此电连接，

其中另一MOS晶体管结构(123)的另一第二源极/漏极区域(127)与所述MOS晶体管结构(101)的主体区域(107)电连接。

5.根据权利要求4所述的结构，其中所述另一主体区域(129)具有一种掺杂类型，所述另一第一和另一第二源极/漏极区域(125，127)具有另一掺杂类型。

6.根据权利要求4或5所述的结构，其中所述MOS晶体管结构(101)和另一MOS晶体管结构(123)是相同类型，具有基本相同的泄漏电流特性，所述泄漏电流特性具体地限定了泄漏电流对温度的依赖性，泄漏电流从各第一源极/漏极区域流向各第二源极/漏极区域。

7.根据权利要求4到6之一所述的结构，其中所述MOS晶体管结构(101)和另一MOS晶体管结构(123)设置为具有实质上相同的温度。

8.根据权利要求4到7之一所述的结构，其中通过由从主体区域(107)经过另一第二源极/漏极区域(127)到另一第一源极/漏极区域(125)的电荷载流子的电流来减少主体区域(107)内的电荷载流子，减少了从第一源极/漏极区域流向第二源极/漏极区域的泄漏电流。

9.根据权利要求4到8之一所述的结构，还包括：

输出端子(119)，与第二源极/漏极区域相连接，所述输出端子基于照射在主体区域的光线的特性，具体地光的强度，提供输出电流(121)，

其中所述第一源极/漏极区域(103)和另一第一源极/漏极区域(125)与参考电势(115)电连接。

10.根据权利要求9所述的结构，还包括：

电阻器(461)，连接在输出端子(419)和地电势(463)之间。

11.根据权利要求9或10所述的结构，还包括：

电容器(565)，连接在输出端子(519)和地电势(563)之间。

12.根据权利要求11所述的结构，还包括：

比较器(667)，具有与输出端子(619)连接的第一输入端子(669)和与参考比较器电势(673)连接的第二输入端子(671)。

13.根据权利要求12所述的结构，还包括：

电容器放电路径(677)，连接在输出端子和地电势之间；以及

可控开关(679)，在所述电容器放电路径内，其中交替地接通和断开所述可控开关。