[发明专利]一种快速退火装置的监控方法

权利要求书

1.一种快速退火装置的监控方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一晶圆衬底；

于所述晶圆衬底上形成若干有源区结构，且相邻的所述有源区结构之间通过沟槽隔开；

继续于所述沟槽中填充氧化物，并进行平坦化工艺；

由于负载效应，所述有源区结构的部分侧壁暴露；

将有源区结构部分侧壁暴露的晶圆衬底放入快速退火装置，以进行快速退火处理；

继续对完成所述快速退火工艺的晶圆衬底进行缺陷检测，根据缺陷检测的结果监控所述快速退火装置的加热效果。

2.如权利要求1所述的快速退火装置的监控方法，其特征在于，所述晶圆衬底上所述相邻有源区结构之间的最小间隔距离为100μm。

3.如权利要求1所述的快速退火装置的监控方法，其特征在于，所述有源区结构的线宽为最小线宽。

4.如权利要求1所述的快速退火装置的监控方法，其特征在于，采用化学机械研磨进行所述平坦化的工艺。

5.如权利要求1所述的快速退火装置的监控方法，其特征在于，当所述快速退火装置的部分加热效果衰减时，完成所述快速退火工艺的晶圆衬底的对应位置的有源区结构侧壁的硅发生气化，以使得该有源区结构产生损伤形成缺陷。

6.如权利要求1所述的快速退火装置的监控方法，其特征在于，对完成所述快速退火工艺的晶圆衬底进行缺陷检测的步骤包括：采用光学缺陷检测设备对所述完成快速退火工艺的晶圆衬底上横向排列的芯片进行行扫描得到第一信号数据，通过比对所述第一信号数据来确定缺陷的位置。

7.如权利要求1所述的快速退火装置的监控方法，其特征在于，对完成所述快速退火工艺的晶圆衬底进行缺陷检测的步骤包括：采用光学缺陷检测设备对所述完成快速退火工艺的晶圆衬底上纵向排列的芯片进行列扫描得到第二信号数据，通过比对所述第二信号数据来确定缺陷的位置。

8.如权利要求6或7所述的快速退火装置的监控方法，其特征在于，所述根据缺陷检测的结果监控所述快速退火装置的加热效果的步骤包括：在确定所述缺陷的位置后，通过电子显微镜观察所述缺陷的形貌，根据所述缺陷的位置和形貌监控所述快速退火装置的加热效果。