[发明专利]自溃散集流体、含有其的电极及锂电池和应用

权利要求书

1.自溃散集流体在制造锂离子二次电池、移动式存储设备或储能电站中提高锂电池安全性的应用，其中，所述自溃散集流体部分或全部为自溃散性导电金属薄膜，其电导率为1.0×10^-5∽1.0×10^-6Ω·cm，所述自溃散性导电金属薄膜包含选自铁、铝、镍和硅中的二种以上的合金，所述自溃散性导电金属薄膜通过磁控真空溅射的方法将所述合金涂于铝箔或铜箔基材上而得到。

2.根据权利要求1所述的应用，该应用是通过将自溃散集流体用作锂离子二次电池、移动式存储设备或储能电站中的锂电池的电极的负载活性物质的载体的局部或全部，来形成提高锂电池的安全性的自溃散保护结构。

3.根据权利要求1或2所述的应用，其中，所述自溃散性导电金属薄膜通过将合金连续或不连续形成于铝箔或铜箔基材上而得到。

4.根据权利要求1或2所述的应用，其中，所述自溃散性导电金属薄膜是通过磁控真空溅射方法将所述金属或所述合金以50nm～2μm的膜形式形成于铝箔或铜箔基材上而得到。

5.根据权利要求3所述的应用，其中，所述自溃散性导电金属薄膜是通过磁控真空溅射方法将所述金属或所述合金以50nm～2μm的膜形式形成于铝箔或铜箔基材上而得到。

6.根据权利要求1或2所述的应用，其中，所述自溃散性导电金属薄膜包含硅。

7.根据权利要求3所述的应用，其中，所述自溃散性导电金属薄膜包含硅。

8.根据权利要求4所述的应用，其中，所述自溃散性导电金属薄膜包含硅。

9.根据权利要求6所述的应用，其中，所述自溃散性导电金属薄膜包含选自铁、铝和镍中的一种金属与硅形成的合金。

10.根据权利要求7或8所述的应用，其中，所述自溃散性导电金属薄膜包含选自铁、铝和镍中的一种金属与硅形成的合金。

11.根据权利要求6所述的应用，其中所述合金中金属与硅的重量比例为1～8。

12.根据权利要求7所述的应用，其中所述合金中金属与硅的重量比例为1～8。

13.根据权利要求8所述的应用，其中所述合金中金属与硅的重量比例为1～8。

14.根据权利要求9所述的应用，其中所述合金中金属与硅的重量比例为1～8。

15.根据权利要求6所述的应用，其中所述合金中金属与硅的重量比例为2～4。

16.根据权利要求7所述的应用，其中所述合金中金属与硅的重量比例为2～4。

17.根据权利要求8所述的应用，其中所述合金中金属与硅的重量比例为2～4。

18.根据权利要求9所述的应用，其中所述合金中金属与硅的重量比例为2～4。

19.根据权利要求11-18任一项所述的应用，其中，所述合金为选自下述任一种组成比例的合金：Al/Si重量比＝80/20，Fe/Si重量比＝80/20，Ni/Si重量比＝80/20，Fe/Si重量比＝60/40，Ni/Si重量比＝70/30。