[发明专利]一种UHF波段高性能带通滤波器无效

专利信息
申请号: 201410164273.X 申请日: 2014-04-22
公开(公告)号: CN103972619A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 李雁;陈相治;罗鸣;朱丹;戴永胜;张超;杨茂雅;潘航;许心影;李永帅;周围;周衍芳 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H01P1/203 分类号: H01P1/203
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 马鲁晋
地址: 210094 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 uhf 波段 性能 带通滤波器
【说明书】:

技术领域

发明属于电子技术领域,它涉及一种UHF波段高性能带通滤波器,特别是涉及一种阻带抑制非常优异的带通滤波器。

背景技术

带通滤波器作为射频前端重要的无源功能模块,要求在通带内插入损耗越小越好,以便大部分能量都可以通过网络;而在阻带内要求衰减越大越好,以便能够抑制干扰或者其它不希望在终端看到的频率。

随着无线通信技术和单片微波集成电路的快速发展,要求电子产品向小型化,低成本,高性能,高集成度的趋势发展。如何将原本在平面电路占大量面积的元件堆叠在三维立体结构中,从而使滤波器在极小的面积下实现也是目前要解决的问题。LTCC技术是一种多层陶瓷工艺,能够为无源和有源器件提供三维立体的集成平台,可实现电路立体化的要求,而且陶瓷元件有良好的特性,可以满足目前市场对小型化、低成本、高性能的要求。

目前国内外对带通滤波器进行了大量的研究,低频段占用体积太大,集成度不高,已远远不能满足小型化的要求。此外,目前的大多数滤波器,如果要抑制通带附近的杂波频率,阻带内的衰减就显得不足了。因此,如何实现具有滤波特性好的UHF波段高性能带通滤波器,已成为业界急需解决的问题之一。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种带外抑制度优异、带内插入损耗小、可靠性高、集成度高、尺寸小的半集总半分布式带通滤波器。

本发明解决上述技术问题所采取的技术方案如下:一种UHF波段高性能带通滤波器,包括输入端口P1、输出端口P2、输入传输线R1、输出传输线R2、第一线圈L1、第二线圈L2、第三线圈L3、第四线圈L4、第五线圈L5、第六线圈L6、第七线圈L7、第八线圈L8、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7和第八电容C8;

其中顶层金属地G1、底层金属地G2均为单层平板金属结构,输入传输线R1、输出传输线R2为单层带状线结构,第一线圈L1、第二线圈L2、第三线圈L3、第四线圈L4、第五线圈L5、第六线圈L6、第七线圈L7、第八线圈L8 均为四层矩形螺旋线圈结构,第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8均为双层金属板结构;

输入端口P1与输入传输线R1连接,输入传输线R1的另一端与第一线圈L1和第一电容C1相连接;

第一线圈L1与第一电容C1相并联,第一线圈L1的一端与第一电容C1的一端相连,第一线圈L1的另一端与第一电容C1的另一端分别接地,上述两个器件构成第一谐振器;

第二线圈L2与第二电容C2相并联,第二线圈L2的一端与第二电容C2的一端相连,第二线圈L2的另一端与第二电容C2的另一端分别接地,上述两个器件构成第二谐振器;

第三线圈L3与第三电容C3相并联,第三线圈L3的一端与第三电容C3的一端相连,第三线圈L3的另一端与第三电容C3的另一端分别接地,上述两个器件构成第三谐振器;

第四线圈L4与第四电容C4相并联,第四线圈L4的一端与第四电容C4的一端相连,第四线圈L4的另一端与第四电容C4的另一端分别接地,上述两个器件构成第四谐振器;

第五线圈L5与第五电容C5相并联,第五线圈L5的一端与第五电容C5的一端相连,第五线圈L5的另一端与第五电容C5的另一端分别接地,上述两个器件构成第五谐振器;

第六线圈L6与第六电容C6相并联,第六线圈L6的一端与第六电容C6的一端相连,第六线圈L6的另一端与第六电容C6的另一端分别接地,上述两个器件构成第六谐振器;

第七线圈L7与第七电容C7相并联,第七线圈L7的一端与第七电容C7的一端相连,第七线圈L7的另一端与第七电容C7的另一端分别接地,上述两个器件构成第七谐振器;

第八线圈L8与第八电容C8相并联,第八线圈L8的一端与第八电容C8的一端相连,第八线圈L8的另一端与第八电容C8的另一端分别接地,上述两个器件构成第八谐振器;第八谐振器与输出端口P2相连;

上述八个谐振器均位于顶层金属地G1和底层金属地G2之间,所述顶层金属地G1和底层金属地G2相互平行。

所述第一谐振器、第二谐振器、第三谐振器、第四谐振器、第五谐振器、第六谐振器、第七谐振器和第八谐振器中的线圈中心轴与底层金属地G2相垂直,上述谐振器中的电容均与底层金属地G2相平行。

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