[发明专利]表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法

权利要求书

1.一种表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件，包括： 

一硅衬底，该硅衬底上部分形成硅纳米线阵列结构； 

多个金属纳米颗粒，该多个金属纳米颗粒不规则地散布在硅纳米线阵列结构的表面； 

一阴极电极，其制作在硅纳米线阵列结构上； 

一阳极电极，其制作在硅衬底的下面。 

2.根据权利要求1所述的表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件，其中硅纳米线阵列结构中的硅纳米线的平均尺寸在10纳米以下，该硅纳米线的表面有一薄层氧化硅薄膜。 

3.根据权利要求1所述的表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件，其中阴极电极的材料为透明氧化铟锡，其可以使电流扩展，同时也是出光面。 

4.根据权利要求1所述的表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件，其中阳极电极的材料为金属。 

5.一种表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件的制作方法，包括如下步骤： 

步骤1：在硅衬底上用电子束蒸发的方法蒸发一金属薄层，该金属薄层为带有孔洞的岛膜； 

步骤2：利用金属催化化学腐蚀的方法，在硅衬底上制作纳米线阵列结构； 

步骤3：采用高温氧化的方法，在纳米线阵列结构的表面形成一预定厚度的薄层氧化硅薄膜； 

步骤4：在纳米线阵列结构的表面用电子束蒸发的方法，蒸一薄层； 

步骤5：退火，在纳米线阵列结构的表面形成金属纳米颗粒； 

步骤6：在硅纳米线阵列结构上长一层阴极电极； 

步骤7：在硅衬底的背面蒸阳极电极，完成制备。 

6.根据权利要求5所述的表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件的制作方法，其中金属催化化学腐蚀的方法使用的化学试剂是氢氟酸和过氧化氢。 

7.根据权利要求5所述的表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件的制作方法，其中纳米线阵列结构中的纳米线的平均尺寸在10纳米以下。 

8.根据权利要求5所述的表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件的制作方法，其中薄层的材料为金或银。 

9.根据权利要求5所述的表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件的制作方法，其中阴极电极的材料为透明氧化铟锡，其可以使电流扩展，同时也是出光面；所述阳极电极的材料为金属。