[发明专利]具有基本上正交的钉扎方向的双轴磁场传感器有效

专利信息
申请号: 201410164552.6 申请日: 2010-04-16
公开(公告)号: CN103901364B 公开(公告)日: 2017-01-04
发明(设计)人: P·马瑟;J·斯劳特 申请(专利权)人: 艾沃思宾技术公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 陈华成
地址: 暂无信息 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 基本上 正交 方向 磁场 传感器
【权利要求书】:

1.一种基于铁磁薄膜的磁场传感器,其中所述磁场传感器包括两个或更多个参考层磁化方向,所述磁场传感器包括:

衬底;

在所述衬底之上的第一绝缘层;

在所述第一绝缘层之上的第一传感器层堆叠,所述第一传感器层堆叠包括在所述第一绝缘层之上的第一参考层;以及

在所述第一绝缘层之上的第二传感器层堆叠,所述第二传感器层堆叠包括在所述第一绝缘层之上的第二参考层;

其中所述第一电极堆叠具有定义用于所述第一参考层的第一参考方向的第一形状各向异性,并且所述第二电极堆叠具有定义用于所述第二参考层的第二参考方向的第二形状各向异性,其中所述第二参考方向与所述第一参考方向不同,其中所述第一参考层和所述第二参考层分别具有第一长轴和第二长轴,所述第一长轴和所述第二长轴定位成确保所述第一参考方向和所述第二参考方向是彼此正交的;以及

以下中的至少一个:

所述第一参考层和所述第二参考层都具有被修改过的各向异性;及

所述第一长轴和所述第二长轴是以非正交的角度设置的。

2.如权利要求1所述的基于铁磁薄膜的磁场传感器,其中所述第一参考层和所述第二参考层每个都包括利用由分隔层隔开的第一铁磁体层和第二铁磁体层形成的不平衡的合成反铁磁体,其中第一铁磁层和第二铁磁层具有不同的磁矩。

3.如权利要求2所述的基于铁磁薄膜的磁场传感器,其中所述第一和第二铁磁层每个都具有分别沿所述第一参考层和所述第二参考层的短轴对准的磁化。

4.如权利要求1所述的基于铁磁薄膜的磁场传感器,其中所述第一传感器层堆叠和所述第二传感器层堆叠每个都包括分别与所述第一参考层和所述第二参考层相邻的反铁磁层。

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