[发明专利]石墨烯薄膜生长用铜箔的处理方法及该方法制备的铜箔

权利要求书

1.一种石墨烯薄膜生长用铜箔的处理方法，包括如下步骤：

（1）等离子预处理：该处理过程分两步进行，首先，将剪裁好的铜箔坯料置于真空等离子清洗机中，通一定流量的氧气，进行第一次等离子除污处理；然后，将等离子清洗机抽真空，然后通入一定流量的氢气，进行第一次等离子去氧化层处理；

（2）将已除去氧化层的铜箔坯料进行电化学抛光后；

（3）再次进行等离子处理，以得到所述石墨烯薄膜生长用铜箔。

2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述步骤（1）和步骤（3）中的等离子去氧化层处理的方法为：通过还原性气体离化成具有还原性的等离子体，以除去所述铜箔坯料的表面氧化层。

3.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，进行所述步骤（1）的去氧化层处理时，进入等离子体发生器的还原性气体的流量不小于50sccm，等离子处理时间不少于100s 。

4.根据权利要求2所述的处理方法，其特征在于，进行所述步骤（3）的等离子去氧化层处理时，进入等离子体发生器的还原性气体的流量不小于100sccm，等离子处理时间不少于120s 。

5.根据权利要求1-4任一所述的处理方法，其特征在于，所述步骤（2）中电化学抛光的方法包括：将已除去氧化层的铜箔坯料作为阳极浸泡于电解液中，通电使阳极溶解；其中，所述电解液包括：磷酸体积浓度55%-70%，乙醇和/或丙酮的体积浓度5%-10%，乙酸和/或硫酸的体积浓度2%-5%，其余为水。

6.根据权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法还包括：对电化学抛光后的铜箔坯料进行清洗后，再利用惰性气体对该铜箔坯料进行吹干；或，在惰性气体保护下烘干。

7.一种石墨烯薄膜生长用铜箔，其特征在于，所述石墨烯薄膜生长用铜箔由权利要求1所述的石墨烯薄膜生长用铜箔的处理方法制成。