[发明专利]一种LED外延层生长方法及制得的LED外延层

权利要求书

1.一种LED外延层生长方法，依次包括处理衬底、生长低温缓冲GaN层、生长非掺杂GaN层、生长掺Si的GaN层、生长有缘层MQW、生长P型AlGaN层、生长P型GaN层步骤，其特征在于，

所述生长P型GaN层步骤为：

在温度为930-950℃，反应腔压力在200-600mbar的反应室内，重复间隔性地通入A、B两组原料，直至P型GaN层的厚度为100-300nm；

其中，A组原料为50000-60000sccm的NH3、20-40sccm的TMGa源，生成厚度为1-5nm的GaN层；B组原料为50000-60000sccm的NH3、20-40sccm的TMGa、1500-2500sccm的Cp₂Mg源，生成厚度为10-20nm的掺Mg的GaN层，Mg的掺杂浓度为1E+19-1E+20atom/cm³。

2.根据权利要求1所述的一种LED外延层生长方法，其特征在于，先通入A组原料，再通入B组原料。

3.根据权利要求1所述的一种LED外延层生长方法，其特征在于，先通入B组原料，再通入A组原料。

4.根据权利要求1所述的一种LED外延层生长方法，其特征在于，所述生长掺Si的GaN层步骤为：

持续生长厚度为2-4um的N型掺Si的GaN层，Si的掺杂浓度为5E18-1E19atom/cm³。

5.根据权利要求1所述的一种LED外延层生长方法，其特征在于，所述生长有缘层MQW步骤为：

在温度700-750℃，压力300-400mbar的反应室内，通入1500-1700sccm的TMIn和20-30sccm的TMGa生长掺杂In的厚度为3-4nm的In_xGa_(1-x)N层，其中x＝0.15-0.25；

温度为800-850℃，生长厚度为10-15nm的GaN层，In_xGa_(1-x)N/GaN层的周期数为10-15；In的掺杂浓度为1E20-3E20atom/cm³。

6.根据权利要求1-5任一项所述的LED外延层生长方法制得的LED外延层，其特征在于，包括厚度为100-300nm的P型GaN层，所述P型GaN层包括若干个双层单元，每个双层单元包括：

GaN层：厚度为1-5nm；

掺Mg的GaN层：厚度为10-20nm。

7.根据权利要求6所述的LED外延层，其特征在于，在所述双层单元中，所述GaN层在所述掺Mg的GaN层之上，或者，所述GaN层在所述掺Mg的GaN层之下。

8.根据权利要求6所述的LED外延层，其特征在于，在非掺杂GaN层和有缘层MQW之间，包括掺Si的GaN层，厚度为2-4um。