[发明专利]等离子体产生装置、其控制方法及包括它的基板处理装置

权利要求书

1.一种等离子体产生装置，包括:

RF电源，其提供RF信号；

等离子体腔室，其提供气体被注入的空间以产生等离子体；

第一电磁电感器，其安装在所述等离子体腔室的一部分，并且在所述RF信号被施加时在所述等离子体腔室中感应电磁场；

第二电磁电感器，其安装在所述等离子体腔室的另一部分，并且在所述RF信号被施加时在所述等离子体腔室中感应电磁场；

第一负载，其连接到所述第一电磁电感器；

第二负载，其连接到所述第二电磁电感器；以及

控制器，其通过调整所述第一负载和所述第二负载中的至少一个的阻抗，来控制供应至所述第一电磁电感器和所述第二电磁电感器的电力。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述等离子体腔室包括具有大小不同的底部的第一柱状部和第二柱状部。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，

所述第一柱状部的底部小于所述第二柱状部的底部，

所述第一电磁电感器安装在所述第一柱状部处，并且

所述第二电磁电感器安装在所述第二柱状部处。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电磁电感器和所述第二电磁电感器中的至少一个包括缠绕到所述等离子体腔室的外部的线圈。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一电磁电感器和所述第二电磁电感器彼此并联连接。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一负载包括连接到所述第一电磁电感器的输入端的第一可变电容器，并且所述第二负载包括连接到所述第二电磁电感器的输入端的第二可变电容器。

7.根据权利要求6所述的装置，进一步包括：

测量单元，其测量所述第一可变电容器和所述第二可变电容器的电容，

其中，所述控制器基于测量的电容计算所述第一负载和所述第二负载的阻抗。

8.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

检测单元，其检测施加于所述第一电磁电感器和所述第二电磁电感器的RF信号，

其中，基于从所述检测单元输入的数据，所述控制器计算供应至所述第一电磁电感器和所述第二电磁电感器的电力。

9.根据权利要求3所述的装置，其中，与所述第二电磁电感器相比，所述控制器向所述第一电磁电感器供应更大的电力。

10.根据权利要求3所述的装置，其中，根据使用等离子体处理的基板上的薄膜厚度，所述控制器控制供应至所述第一电磁电感器和所述第二电磁电感器的电力。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，

当在所述基板的中心区域形成的薄膜厚度大于在所述基板的边缘区域形成的薄膜厚度时，所述控制器增加供应至所述第一电磁电感器的电力，并减少供应至所述第二电磁电感器的电力，并且

当在所述基板的边缘区域形成的薄膜厚度大于在所述基板的中心区域形成的薄膜厚度时，所述控制器减少供应至所述第一电磁电感器的电力，并增加供应至所述第二电磁电感器的电力。

12.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

第三负载，其连接到所述第一电磁电感器的接地端；以及

第四负载，其连接到所述第二电磁电感器的接地端。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，

所述第三负载包括第三可变电容器，所述第三可变电容器的电容由所述控制器调整，并且

所述第四负载包括第四可变电容器，所述第四可变电容器的电容由所述控制器调整。

14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述控制器将所述第三负载的阻抗调整为所述第一电磁电感器的阻抗的一半，并且将所述第四负载的阻抗调整为所述第二电磁电感器的阻抗的一半。

15.根据权利要求12所述的装置，其中，

所述控制器将施加于所述第一电磁电感器的RF信号和施加于所述第三负载的RF信号进行比较，并根据比较结果调整所述第三负载的阻抗，并且

所述控制器将施加于所述第二电磁电感器的RF信号和施加于所述第四负载的RF信号进行比较，并根据比较结果调整所述第四负载的阻抗。