[发明专利]一种用于扭转的小应力区领结型光纤预制棒的制造方法有效
申请号: | 201410166207.6 | 申请日: | 2014-04-24 |
公开(公告)号: | CN105016615B | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 徐天聪;杭利军;隋宁菠;魏国盛;李保群 | 申请(专利权)人: | 北京一轻研究院 |
主分类号: | C03B37/018 | 分类号: | C03B37/018 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 101111*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 预制棒 领结型光纤 应力区 扭转 化学气相沉积 制造 光纤预制棒 双折射光纤 炸裂 关键步骤 光纤损耗 后续加工 常温下 内皮层 套管层 椭圆度 堆料 挥发 磨抛 石英 芯层 外部 改进 | ||
本发明公开了一种用于扭转的小应力区领结型光纤预制棒的制造方法,其特征在于光纤预制棒采用改进的化学气相沉积法(MCVD)制成,与传统领结型光纤预制棒相比,其应力区面积较小,解决了预制棒在后续加工处理中容易炸裂的问题;预制棒内皮层直径较大,解决了芯层椭圆度大的问题,还降低了光纤损耗;在预制棒外部加入套管层,解决了预制棒在扭转过程中石英挥发和堆料问题。本发明操作难度较低,制得的预制棒适于在高温下扭转或常温下磨抛,是制造圆双折射光纤的关键步骤。
技术领域
本发明涉及一种用于扭转的小应力区领结型光纤预制棒的制造方法,是制造圆双折射光纤的关键步骤。
背景技术
近年来,全光纤电流互感器以其动态范围大、频带宽,安装灵活、抗电磁干扰能力强、可测交直流信号等优点,成为了新型电流互感器的发展趋势。由于以法拉第效应为基本原理的全光纤电流互感器对光纤传感环中的线性双折射同样敏感,这使得低线性双折射光纤成为全光纤电流互感器的核心元件。
最初采用的低线性双折射光纤是由普通单模光纤扭转得到的,具体制造方法也分别在公开号为CN 1663922的中国专利《拉制期间旋转光纤预型的光纤生产设备和方法》、授权公告号为CN 201857345的中国专利《光纤扭转装置》、公开号为CN 1472153的中国专利《低偏振模色散单模光纤的制造方法及用该方法制备的光纤》提出,具体方法都是在拉丝过程中旋转预制棒或者是搓动光纤来实现扭转。随着人们对全光纤电流互感器研究的深入,逐渐发现传统低线性双折射光纤存在诸如抗弯曲能力差、抗冲击能力差、温度稳定性弱等缺点,而另一种带有应力区的低线性双折射光纤又称圆双折射光纤进入人们视野,这种光纤引入了大量的圆双折射来抑制残余线双折射,使得光纤环具有很强的抗外界干扰能力。第92113821.0号中国专利《保持圆偏振态的光纤和它的制备方法》中给出了圆双折射光纤的基本构造:包层中带有一个或多个应力区沿光纤轴成螺旋状分布。制作圆双折射可以套用前面在拉丝过程中旋转预制棒或者是搓动光纤的方法,但这些方法存在一些难题:1、由于圆双折射光纤螺距一般要求8mm以下,而为了保持机械强度拉丝速度必须维持在30m/min以上,此时预制棒转速或搓动速度需达到3500r/min以上,这已经远超出机器的正常运转范围;2、拉丝过程中旋转会使光纤发生摆动,发生涂覆不匀等现象。
申请公布号CN 102442774的中国专利《超低双折射光纤的制造方法及旋转拉伸塔》提出了将预制棒旋转拉伸的方法,这种方法可很好的应用到普通单模光纤预制棒的扭转中,但对于领结型预制棒的扭转存在以下一些难题:1、传统领结型预制棒应力区面积占总截面积10%以上,预制棒在后续加工处理中容易炸裂;2、传统领结型光纤纤芯椭圆度高达28%以上,如果制成旋转光纤,会造成芯径分布不匀,进而影响光纤截止波长、模场直径等多个指标,同时还存在与其他光纤耦合困难的问题;3、扭转是在高温下进行,石英将不可避免的发生挥发和堆料现象,这会严重破坏预制棒的外皮层甚至应力区。
发明内容
本发明提供了一种用于扭转的小应力区领结型光纤预制棒的制造方法,包括预制棒制作和预制棒套管步骤,特别是要解决传统领结型预制棒在后续加工处理中容易炸裂的问题、传统领结型预制棒纤芯椭圆度偏高的问题以及扭转时石英挥发和堆料的问题。
本发明所采用的技术方案是:
1、预制棒制作采用改进的化学气相沉积法(MCVD),与传统领结型预制棒相比,在沉积应力层时,减少了每层的进料量并减少一定层数;沉积内皮层时,增加了每层的进料量并增加一定层数。
2、预制棒制成后,将预制棒与石英管沿轴向同心放置,在MCVD车床上沿轴向加热熔缩,制成带有套管层的预制棒。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
1、采用本发明制成的预制棒套管前应力区面积占截面总面积的3~7%,使预制棒在后续加工处理中不易炸裂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京一轻研究院,未经北京一轻研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410166207.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。