[发明专利]晶圆级铜柱微凸点结构及制作方法有效
申请号: | 201410166240.9 | 申请日: | 2014-04-23 |
公开(公告)号: | CN103943579B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | 何洪文;孙鹏 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;刘海 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级铜柱微凸点 结构 制作方法 | ||
1.一种晶圆级铜柱微凸点结构,其特征是:包括晶圆(1)和设置于晶圆(1)正面的垂直互连结构(3),晶圆(1)的正面具有多个焊盘(2);所述垂直互连结构(3)包括多个导电柱体(30)和填充于该多个导电柱体(30)之间的介质层(4),导电柱体(30)包括聚合物核心(31)、位于该聚合物核心(31)表面的电镀种子层(32)和位于该电镀种子层(32)表面的金属铜层(33),导电柱体(30)的上表面露出介质层(4)的上表面,导电柱体(30)的下表面分别与晶圆(1)上的焊盘(2)连接,在导电柱体(30)的上表面分别设置凸点(5)。
2.如权利要求1所述的晶圆级铜柱微凸点结构,其特征是:所述聚合物核心(31)的下端面与焊盘(2)连接。
3.如权利要求1所述的晶圆级铜柱微凸点结构,其特征是:所述金属铜层(33)的上表面与介质层(4)的上表面平齐。
4.一种晶圆级铜柱微凸点结构的制作方法,其特征是,包括以下步骤:
(1)在晶圆(1)上表面涂覆聚合物层,在聚合物层上通过刻蚀工艺得到多个聚合物核心(31),聚合物核心(31)位于焊盘(2)的正上方;
(2)在步骤(1)得到的结构上表面电镀铜,从而在聚合物核心(31)和晶圆(1)暴露的上表面上形成电镀种子层;
(3)在电镀种子层上表面电镀铜材料,得到金属铜层;
(4)刻蚀掉晶圆(1)上表面的电镀种子层和金属铜层;
(5)对上述多个导电柱体(30)间进行介质填充,在导电柱体(30)之间形成介质层(4),并露出金属铜层(33)的上表面;
(6)在步骤(5)得到的结构的上表面涂覆光刻胶,得到光刻胶层;在光刻胶层上制作多个图形开口,露出聚合物核心(31)上方金属铜层(33)的上表面;
(7)在上述光刻胶层的图形开口中电镀钎料材料;对钎料材料进行回流焊工艺,形成凸点(5);
(8)去除光刻胶,得到所述的晶圆级铜柱微凸点结构。
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